[发明专利]衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种制造键合衬底叠层的方法，其特征在于包括：

第一步(图3A～3D)：制备第一衬底(10)，该衬底具有内部的多孔层(12)，所说多孔层上的第一层(13)和所说第一层上的第二层(14)；

第二步(图3E)：将所说第一衬底(10)的主表面键合到第二衬底(20)上来制备键合衬底叠层；和

第三步(图3F)：化学处理所说键合衬底叠层使所说第一层(13)的至少部分外边缘朝着所说键合衬底叠层的内部进行再处理。

2.按照权利要求1的方法，其特征在于：第三步(图3F)包括：化学处理所说的键合衬底叠层，获得一种结构，其中所说键合衬底叠层的所说第一层的所说至少部分外边缘位于所说第一衬底(10)与所说第二衬底(20)键合区域的外边缘或在其内部。

3.按照权利要求1或2的方法，其特征在于：第三步(图3F)包括氧化在第二步(图3E)中制备的所说键合衬底叠层的所说第一层的至少一部分外边缘部分。

4.按照权利要求1或2的方法，其特征在于：第三步(图6F)包括蚀刻在第二步(图6E)中制备的所说键合衬底叠层的所说第一层(13)的所说至少部分外边缘。

5.按照权利要求1～4之一的方法，其特征在于：所说第一层(13)是半导体层。

6.按照权利要求1～4之一的方法，其特征在于：所说第一层(13)是硅层。

7.按照权利要求1～4之一的方法，其特征在于：所说第一层(13)是单晶硅层。

8.按照权利要求1、2和4之一的方法，其特征在于：所说第一层(13)是化合物半导体层。

9.按照权利要求1～8之一的方法，其特征在于：第一步(图3B)包括使硅衬底阳极氧化形成多孔层(12)。

10.按照权利要求1～8之一的方法，其特征在于：第一步(图3A-3D)包括将离子注入硅衬底中形成所说多孔层。

11.按照权利要求1-4之一的方法，其特征在于：所说第一层(13)是硅层，而所说第二层(14)是SiO₂层。

12.按照权利要求1-4之一的方法，其特征在于：第一步包括：

在所说的多孔层(12)上形成充当所说第一层(13)的硅层(图3C)；和

热氧化所说硅层(13)的表面，在所说硅层(13)上形成充当所说第二层(14)的SiO₂层。

13.按照权利要求1-12之一的方法，其特征在于：所说第二衬底(20)是硅衬底和硅衬底表面上具有SiO₂层的衬底中的一种。

14.按照权利要求1-12之一的方法，其特征在于：所说第二衬底(20)是透明衬底和绝缘衬底中的一种。

15.一种制造键合衬底叠层的方法，其特征在于包括

第一步(图4A-4D)：制备第一衬底(10)，该衬底具有内部的多孔层(12)，所说多孔层(12)上预定区域中的第一层(13)和覆盖所说第一层(13)上表面和至少部分一侧的第二层(14)；和

第二步(图4E)：将所说第一衬底(10)的主表面键合到第二衬底(20)上，制备键合衬底叠层。

16.按照权利要求15的方法，其特征在于：第一步(图4A-4D)包括：在第二步(图4E)之后，形成所说第一层(13)和所说第二层(14)获得一种结构，其中所说第一层的至少部分外边缘位于所说第一衬底(10)与所说第二衬底(20)键合区域的外边缘内部。

17.按照权利要求15或16的方法，其特征在于：第一步(图4A-4D)包括在所说多孔层(12)的基本上整个表面上形成一层预定材料，和构图该层形成所说第一层(13)。

18.按照权利要求16的方法，其特征在于：第一步(图4A-4D)包括在所说多孔层(12)上生长成具有预定形状的所说第一层(13)。

19.按照权利要求15-18之一的方法，其特征在于所说第一层(13)是半导体层。

20.按照权利要求15-18之一的方法，其特征在于所说第一层(13)是硅层。