[发明专利]磁头和其制造方法以及垂直磁记录装置无效
申请号: | 00135320.9 | 申请日: | 2000-09-22 |
公开(公告)号: | CN1308313A | 公开(公告)日: | 2001-08-15 |
发明(设计)人: | 与田博明;馆山公一;大日向祐介 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11B5/127 | 分类号: | G11B5/127;G11B5/31 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 王以平 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁头 制造 方法 以及 垂直 记录 装置 | ||
1.一种磁头,记录垂直磁记录媒体中磁化信息,其特征是:
具备:有与上述垂直磁记录媒体对向的主面和相对于该主面的内侧的里面并从上述主面到上述里面设置了开口的薄膜、
有在上述开口内延伸出的磁极顶端的主磁极。
2.权利要求1记载的磁头,其特征是:上述主磁极具有距上述薄膜的上述里面上的上述磁极顶端的尖端,仅按上述薄膜的膜厚规定的量设置凹槽的磁轭。
3.权利要求2记载的磁头,其特征是上述磁极顶端具有与上述薄膜的上述里面为同一水平面的尖端面。
4.权利要求3记载的磁头,其特征是:
还具有:
在上述薄膜的上述里面侧设置并与上述主磁极进行磁耦合的回程偏转线圈;
在上述薄膜的上述里面侧设置并与由上述主磁极和上述回程偏转线圈形成的磁路交叉的记录线圈,
上述回程偏转线圈和上述记录线圈至少其中之一与上述薄膜的上述里面接触。
5.权利要求3记载的磁头,其特征是:
还具有:
在上述薄膜的上述里面侧设置并与上述磁极顶端进行磁耦合的回程偏转线圈;
在上述薄膜的上述里面侧设置并与由上述主磁极和上述回程偏转线圈形成的磁路交叉的记录线圈,
上述回程偏转线圈和上述记录线圈至少其中之一,仅按上述薄膜的膜厚规定的量距上述磁极顶端的尖端设置凹槽。
6.权利要求5记载的磁头,其特征是:上述主磁极、上述回程偏转线圈、上述记录线圈由具有与上述薄膜的上述主面平行的主面的薄膜分别形成。
7.权利要求3记载的磁头,其特征是:还具有覆盖在上述薄膜的上述主面侧叠层的上述磁极顶端的尖端的润滑膜。
8.一种磁头,记录垂直磁记录媒体中磁化信息,其特征是:
具备:与在上述垂直磁记录媒体对向的主面和相对于该主面的内侧的里面,并从上述主面到上述里面设置了开口的薄膜、
有在上述开口内延伸出的磁轭顶端的第1磁偏转线圈。
9.权利要求8记载的磁头,其特征是:上述第1磁偏转线圈具有距在上述薄膜的上述里面上的上述磁轭顶端的尖端仅按上述薄膜的膜厚规定的量设置凹槽的磁轭。
10.权利要求9记载的磁头,其特征是:上述磁轭顶端具有与上述薄膜的上述里面为同一水平面的尖端面。
11.权利要求10记载的磁头,其特征是:
还具有:
在上述薄膜的上述里面侧设置并与上述第1磁偏转线圈进行磁耦合的第2磁偏转线圈;
在上述薄膜的上述里面侧设置并与上述第1和第2磁偏转线圈进行磁耦合的磁检测元件,
上述第2磁偏转线圈和上述磁检测元件至少其中之一与上述薄膜的上述里面接触。
12.权利要求10记载的磁头,其特征是:
还具有:
在上述薄膜的上述里面侧设置并与上述第1磁偏转线圈进行磁耦合的第2磁偏转线圈;
在上述薄膜的上述里面侧设置并与上述第1和第2磁偏转线圈进行磁耦合的磁检测元件,
上述第2磁偏转线圈和上述磁检测元件至少其中之一距上述磁轭顶端的尖端仅按上述薄膜的膜厚规定的量设置凹槽。
13.权利要求1和2记载的磁头,其特征是:上述第1和第2磁偏转线圈与上述磁检测元件由具有与上述薄膜的上述主面平行的主面的薄膜分别形成。
14.权利要求10记载的磁头,其特征是:具有覆盖在上述薄膜的上述主面侧叠层的上述磁轭顶端的尖端的润滑膜。
15.一种垂直磁记录装置,其特征是:具有权利要求1记载的磁头,在垂直磁记录媒体上记录磁信息。
16.一种垂直磁记录装置,其特征是:具有权利要求8记载的磁头,对在垂直磁记录媒体上记录的信息进行重放。
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