[发明专利]修正有缺陷的隧道结的方法有效
| 申请号： | 01125891.8 | 申请日： | 2001-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN1347118A | 公开（公告）日： | 2002-05-01 |
| 发明（设计）人： | J·H·尼克尔;T·C·安东尼 | 申请（专利权）人： | 惠普公司 |
| 主分类号： | G11C11/02 | 分类号： | G11C11/02;G11C11/14;H01L43/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,王忠忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 修正 缺陷 隧道 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在MRAM器件中修正多个隧道结(30)的方法，隧道结(30)是字线和位线(116和118)交叉，该方法包括：
使用字线和位线(116和118)以在多个隧道结的每一个上应用至少一个电压周波，最大电压小于结的击穿电压。
2.根据权利要求1所述的方法，该器件(110)包括读/写电路(120，122，124，126)，其特征在于使用该读/写电路(120，122，124，126)以对字和位线(116和1118)应用电压周波。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：电压周波的最大电压比读/写电路(120，122，124，126)所提供的读电压高。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括测试有缺陷隧道结(202，204)的存储单元器件，然后应用电压周波到与缺陷结(206)交叉的字线和位线(116，118)。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：通过应用至少一个电压周波到阵列(302)的每一个隧道结，至少一些隧道结被施加电压，同时应用电压周波到多个隧道结。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：通过应用单个电压周波对隧道结施加电压。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：通过应用多个电压周波对隧道结施加电压。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：连续周波上的电压是倾斜上升的。
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