[发明专利]光掩模的修正方法和半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种光掩模的修正方法，由下述工序构成：

准备具有包含相移图形的掩模图形的光掩模衬底的工序，

采用除去上述掩模图形的一部分的办法形成参照孔的工序，

从离子束源向含有参照孔的区域照射离子束使二次带电粒子从上述参照孔发射出来的工序，

采用用检测器检测上述二次带电粒子的办法识别上述参照孔的位置的工序，

计算上述所识别的参照孔的位置与上述掩模图形的缺陷位置之间的位置关系的工序，

采用根据上述计算出来的位置关系从上述离子束源向上述缺陷照射离子束的办法对上述缺陷进行修正的工序，且

从相对于上述光掩模衬底的上表面垂直的方向看的上述参照孔的图形，实质上是长方形，而且，上述长方形图形的长边方向与上述相移图形的长边方向是平行的。

2.根据权利要求1所述的方法，

上述检测器的入射部分位于上述参照孔的斜上方，

上述长方形图形的长边方向，与把连接上述检测器的入射部分与上述参照孔的直线投影到上述光掩模衬底上表面上的直线是平行的。

3.根据权利要求2所述的方法，

上述参照孔，由上述检测器的入射部分所在一侧的第1侧壁和与第1侧壁相向的第2侧壁限定，连接上述第1侧壁的下端和上端的平面的倾斜度比连接上述第2侧壁的下端和上端的平面的倾斜度平缓。

4.根据权利要求1所述的方法，

上述检测器的入射部分位于上述参照孔的斜上方，

上述参照孔，由上述检测器的入射部分所在一侧的第1侧壁和与第1侧壁相向的第2侧壁限定，连接上述第1侧壁的下端和上端的平面的倾斜度比连接上述第2侧壁的下端和上端的平面的倾斜度平缓。

5.根据权利要求1所述的方法，

上述参照孔，采用从上述离子束源照射离子束的办法形成。

6.根据权利要求1所述的方法，

对含有上述参照孔区域进行多次从照射离子束的工序到修正上述缺陷的工序为止的处理。

7.一种光掩模的修正方法，由下述工序构成：

准备具有掩模图形的光掩模衬底的工序，

采用除去上述掩模图形的一部分的办法形成参照孔的工序，

从离子束源向含有上述参照孔的区域照射离子束使二次带电粒子从上述参照孔发射出来的工序，

采用用其入射部分位于上述参照孔的斜上方的检测器检测上述二次带电粒子的办法识别上述参照孔的位置的工序，

计算上述所识别的参照孔的位置与上述掩模图形的缺陷位置之间的位置关系的工序，

采用根据上述计算出来的位置关系从上述离子束源向上述缺陷照射离子束的办法对上述缺陷进行修正的工序，且

从相对于上述光掩模衬底的上表面垂直的方向看的上述参照孔的图形，实质上是长方形，而且，上述长方形图形的长边方向与把上述检测器的入射部分及上述参照孔连接起来的直线投影到上述光掩模衬底的上表面上的直线是平行的。

8.根据权利要求7所述的方法，

上述参照孔，由上述检测器的入射部分所在一侧的第1侧壁和与第1侧壁相向的第2侧壁限定，连接上述第1侧壁的下端和上端的平面的倾斜度比连接上述第2侧壁的下端和上端的平面的倾斜度平缓。

9.根据权利要求7所述的方法，

上述参照孔，采用从上述离子束源照射离子束的办法形成。

10.根据权利要求7所述的方法，

对含有上述参照孔的区域进行多次从照射离子束的工序到修正上述缺陷的工序为止的处理。