[发明专利]半导体存储器以及驱动半导体存储器的方法

权利要求书

1.一种半导体存储器包括：

存储单元，其中包括具有存储数据的控制栅极和浮置栅极(floating gate)的晶体管；以及

把参照电势提供到所述存储单元的线路，

其中，在执行把数据写入到所述存储单元中的时间段内，用于把参照电势提供到所述存储单元的所述线路的电势被设置在正电势。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，该正电势不大于所述半导体存储器的电源电势并且不小于该电源电势的1/2。

3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，在执行用于检查由数据写入操作所写入的数据的编程确认操作过程中，用于把参考电势提供到所述存储单元的所述线路的电势被设置在0V。

4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，该正电势为所述半导体存储器的电源电势。

5.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，该电源电势基本上为所述半导体存储器的电源电压1/2。

6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述多个存储单元相串联，串联的存储单元的一端连接到用于把数据输入和输出所述存储单元的位线，并且该串联的存储单元的另一端连接到用于把参考电势提供到所述存储单元的所述线路。

7.根据权利要求6所述的存储器，其特征在于，在所述位线的电势被设置在对应于把数据写入到所述存储单元的电势过程中，所述用于把参考电势提供到所述存储单元的所述线路的电势被设置在正电势。

8.根据权利要求7所述的存储器，其特征在于，该正电势不大于所述半导体存储器的电源电压并且不小于该电源电压的1/2。

9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，在执行用于检查由数据写入操作所写入的数据的编程确认操作过程中，用于把参考电势提供到所述存储单元的所述线路的电势被设置在0V。

10.一种用于驱动半导体存储器的方法，其在包含具有控制栅极和浮置栅极的晶体管的存储单元中存储数据，

其特征在于在执行对存储单元的数据写入操作过程中，一个正电势被提供到用于把参考电势提供到存储单元的线路。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，该正电势不大于所述半导体存储器的电源电压并且不小于该电源电压的1/2。

12.根据权利要求11所述的存储器，其特征在于，在执行用于检查由数据写入操作所写入的数据的编程确认操作过程中，用于把参考电势提供到所述存储单元的所述线路的电势被设置在0V。

13.一种用于驱动半导体存储器的方法，其在包含具有控制栅极和浮置栅极的晶体管的存储单元中存储数据，其特征在于，多个存储单元相串联，串联的存储单元的一端连接到用于把数据输入和输出所述存储单元的位线，并且该串联的存储单元的另一端连接到用于把参考电势提供到所述存储单元的线路，

其中，在该位线的电势被设置在对应于把数据写入到所述存储单元的电势过程中，把一个正电势提供到所述用于把参考电势提供到该存储单元的所述线路。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，该正电势不大于所述半导体存储器的电源电压并且不小于该电源电压的1/2。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，在执行用于检查由数据写入操作所写入的数据的编程确认操作过程中，把0V提供到用于把参考电势提供到该存储单元的线路。