[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，包括：

在半导体衬底上边，设置含有Si原子的低介电常数绝缘膜；

边照射电子束边加热上述低介电常数绝缘膜；和  

使上述加热中或加热后的上述低介电常数绝缘膜暴露于促进上述Si原子的结合的气体中。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，把上述低介电常数绝缘膜暴露于促进上述Si原子的结合的气体中的步骤，与伴随着上述电子束照射进行的加热同时进行。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，促进上述Si原子的结合的气体，从由氢气、含有卤族元素的气体、含有硅醇羟基的有机Si系气体和具有羟基的有机系气体构成的群中选择。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，上述Si原子的悬挂键用非亲水性的原子进行端接。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其中，上述非亲水性的基，是氢原子或卤族原子。

6.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其中，上述低介电常数绝缘膜，把硅氧烷结合作为骨架。

7.根据权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中，上述硅氧烷骨架，含有甲基。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的制造方法，还包括：

在上述低介电常数绝缘膜上形成布线沟和孔中的至少一方；

中间存在着势垒金属地把Cu埋入到上述布线沟和上述孔中的至少一方内。

9.一种导体器件的制造方法，包括：

在半导体衬底上边，设置低介电常数绝缘膜；

在含有惰性气体的气氛中，边照射电子束边加热上述低介电常数绝缘膜；和

向上述加热中或加热后的上述低介电常数绝缘膜照射正电荷离子。

10.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，对上述低介电常数绝缘膜边照射电子束边进行加热的步骤，在减压后的处理室内进行。

11.根据权利要求10所述的半导体器件的制造方法，其中，向上述低介电常数绝缘膜照射正电荷离子的步骤，在上述处理室内进行。

12.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，上述正电荷离子，采用在上述处理室内形成上述惰性气体的等离子体的办法产生。

13.根据权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其中，向上述低介电常数绝缘膜照射正电荷离子的步骤，与向上述低介电常数绝缘膜边照射电子束边进行加热的步骤同时进行。

14.根据权利要求13所述的半导体器件的制造方法，其中，上述电子束间歇性地向上述低介电常数绝缘膜照射。

15.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，上述气氛包括氢。

16.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，上述低介电常数绝缘膜把硅氧烷结合作为骨架。

17.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，其中，上述低介电常数绝缘膜由有机树脂构成。

18.根据权利要求9所述的半导体器件的制造方法，还包括：

在上述低介电常数绝缘膜上形成布线沟和孔中的至少一方；

中间存在着势垒金属地把Cu埋入到上述布线沟和上述孔中的至少一方内。

19.一种半导体器件的制造方法，包括：

在半导体衬底上边，设置含有有机成分的低介电常数绝缘膜；

把上述半导体衬底搬运入处理室内；

在含有惰性气体的气氛中，边照射电子束边加热上述低介电常数绝缘膜；

从上述处理室内搬运出上述半导体衬底；

向上述处理室内导入氧化性气体；和

加上高频电压使得在已导入了上述氧化性气体的上述处理室内产生等离子体，对上述处理室内进行净化。

20.根据权利要求19所述的半导体器件的制造方法，其中，上述氧化性气体含有氧气和氨气中的至少一方。