[发明专利]灰化装置,灰化方法及用于制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种灰化装置，通过使用对铝合金膜进行蚀刻的蚀刻装置对被处理体上的光致抗蚀膜进行灰化处理，其特征在于，以光致抗蚀膜为掩膜对氮化钛膜进行蚀刻，所述装置包括：

一个灰化室；

一个用于将被处理体放置在所述灰化室中的载物台；

一个气体导入系统，用于导入灰化气体至放置在载物台上的被处理体的附近；以及

一个等离子系统，用于对通过所述气体导入系统导入的灰化气体进行等离子化，

其中，所述灰化气体是包含氧气及氮气的混合气体或者水蒸气。

2.根据权利要求1所述的灰化装置，其中，当所述光致抗蚀膜被灰化时，导入包含氧气和氮气的混合气体至被处理体附近，进行第一步灰化，并且导入水蒸气至被处理体附近，进行第二步灰化。

3.根据权利要求1或2所述的灰化装置，其中，所述被处理体具有一个在底膜上形成的氮化钛膜，一个在所述氮化钛膜上形成的防反射涂层，和一个在防反射涂层膜上形成的光致抗蚀膜。

4.根据权利要求3所述的灰化装置，还包括一个用于将载物台控制在高温的温度控制系统，其中，在对光致抗蚀膜和防反射涂层进行灰化时，在第一步灰化之前，为了调整并稳定灰化室内的压力，被处理体要在控制高温的载物台上保持5～7秒。

5.一种灰化方法，通过使用对铝合金膜进行蚀刻的蚀刻装置，在被处理体上的光致抗蚀膜进行灰化，其特征在于，以所述光致抗蚀膜为掩膜对氮化钛膜进行蚀刻，所述方法包括以下步骤：在灰化室内设置被处理体；

第一步包括：导入氧气和氮气的混合气体至被处理体附近，并将所述气体等离子化，从而对光致抗蚀膜进行灰化；以及

第二步包括：导入水蒸气至被处理体附近，并将所述气体等离子化，从而对被处理体上的异物进行灰化处理。

6.根据权利要求5所述的灰化方法，其中，所述被处理体具有一个在底膜上形成的氮化钛膜，一个在所述氮化钛膜上形成的防反射涂层，以及一个在防反射涂层膜上形成的光致抗蚀膜。

7.根据权利要求6所述的灰化方法，其中，在对光致抗蚀膜及防反射涂层进行灰化时，在实施第一步之前，为了调整并稳定灰化室内的压力，所述被处理体要在高温控制下的载物台上保持5～7秒。

8.一种用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

第一步是在底膜上形成氮化钛膜；

第二步是在所述氮化钛膜上涂敷光致抗蚀膜，并将其曝光、显影；

第三步是使用对铝合金膜进行蚀刻的蚀刻装置，以所述光致抗蚀膜为掩膜对氮化钛膜进行蚀刻；

第四步是导入氧气及氮气的混合气体至光致抗蚀膜附近，并将所述混合气体等离子化，用于对光致抗蚀膜进行灰化处理；以及

第五步是导入水蒸气至氮化钛膜附近，并将所述气体等离子化，用以对氮化钛膜上的异物进行灰化。

9.根据权利要求8所述的用于制造半导体器件的方法，其中，所述第四步，在第三步之后，将被处理体在真空状态下从蚀刻装置传送到灰化装置。

10.一种用于制造半导体器件的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

第一步是在底膜上形成氮化钛膜；

第二步是在所述氮化钛膜上形成防反射涂层；

第三步是在所述防反射涂层上涂敷光致抗蚀膜并将其曝光、显影；

第四步是使用对铝合金膜进行蚀刻的蚀刻装置，以所述光致抗蚀膜为掩膜对防反射涂层及氮化钛膜进行蚀刻；

第五步是导入氧气和氮气的混合气体至光致抗蚀膜附近，并将所述混合气体等离子化，用于对光致抗蚀膜及防反射涂层进行灰化；以及

第六步是导入水蒸气至氮化钛膜附近，并将所述气体等离子化，用于对氮化钛膜上的异物进行灰化。

11.根据权利要求10所述的用于制造半导体器件的方法，还包括一个在上述第四步与第五步之间进行的步骤，该步骤包括，为了调整并稳定灰化室内的压力，被处理体要在高温控制下的载物台上保持5～7秒。