[发明专利]形成用于CMOS器件的应变Si的方法和结构

权利要求书

1.一种制造器件的方法，该器件包括n型器件和p型器件，所述方法包括：

对半导体衬底的一部分掺杂；

通过去除所述半导体衬底的该掺杂部分的至少一部分在所述半导体衬底中形成间隙；以及

在所述半导体衬底的间隙的至少一部分中生长应变层。

2.根据权利要求1的方法，其中所述应变层生长在位于所述n型器件的沟道基本上正下方的至少一部分上。

3.根据权利要求1的方法，其中所述应变层生长在位于所述p型器件的源区或漏区至少之一的基本上正下方的至少一部分上。

4.根据权利要求3的方法，其中所述应变层未生长在所述p型器件的沟道下方。

5.根据权利要求1的方法，还包括在半导体衬底上沉积图案化的光抗蚀剂层，其中该沉积步骤包括：

沉积覆盖所述半导体衬底的一部分的光抗蚀剂层，该部分将位于所述p型器件的沟道下方。

6.根据权利要求5的方法，其中所述光抗蚀剂层暴露所述半导体衬底的一部分，该部分将位于所述n型器件的沟道下方。

7.根据权利要求1的方法，其中所述间隙是在n型器件的沟道下方形成的隧道。

8.根据权利要求1的方法，还包括去除所沉积的图案化光抗蚀剂层。

9.根据权利要求8的方法，还包括在所述半导体衬底上沉积掩模。

10.根据权利要求9的方法，还包括图案化所沉积的掩模，使得所述半导体衬底的一部分被覆盖，以及所述半导体衬底的一部分被暴露。

11.根据权利要求10的方法，其中所述形成间隙的步骤包括蚀刻所述半导体衬底的所述暴露部分，以选择性地暴露所述半导体衬底的掺杂区的至少一部分的侧壁。

12.根据权利要求11的方法，还包括在所述半导体衬底上方沉积间隔材料。

13.根据权利要求12的方法，其中沉积所述间隔材料包括在所述间隙的暴露部分上沉积所述间隔材料。

14.根据权利要求13的方法，还包括采用氧化物材料填充所述间隙的未暴露部分。

15.根据权利要求1的方法，其中所述掺杂的步骤包括采用Ge对所述半导体衬底掺杂。

16.根据权利要求15的方法，其中所述Ge的掺杂浓度为大约1×10¹⁴Ge/cm2至大约1×10¹⁶Ge/cm2。

17.根据权利要求1的方法，其中所述掺杂的步骤包括采用As、B、In和Sb的至少之一对所述半导体衬底掺杂。

18.根据权利要求1的方法，其中所述生长应变层的步骤包括在所述半导体衬底的间隙的至少一部分中生长SiGe、Si₃N₄、SiO₂和SiO_xN_y至少之一。

19.一种制造器件的方法，该器件包括n型器件和p型器件，所述方法包括：

在半导体衬底上生长应变层；

在该应变层上方生长硅层；

通过从该半导体衬底上方去除该硅层和该应变层的至少一部分，在该半导体衬底和该硅层之间形成间隙；以及

在该间隙中生长应变层。

20.根据权利要求19的方法，其中所述应变层生长在位于所述n型器件的沟道基本上正下方的至少一部分上。

21.根据权利要求19的方法，其中所述应变层生长在位于所述p型器件的源区或漏区至少之一的基本上正下方的至少一部分上。

22.根据权利要求19的方法，其中所述应变层未生长在所述p型器件的沟道下方。

23.根据权利要求19的方法，其中所述生长应变层的步骤包括在所述半导体衬底上生长SiGe、Si₃N₄、SiO₂和SiO_xN_y至少之一。