[发明专利]用于调整一组等离子体处理步骤的方法和装置

权利要求书

1.一种在等离子体处理系统中调整一组等离子体处理步骤的方法，包括：

在所述等离子体处理系统的等离子体反应器中撞击包括中性物和离子的第一等离子体；

在第一蚀刻步骤中蚀刻基板上的一组层；

在所述基板周围定位可移动均匀环，其中，所述均匀环的底面与所述基板顶面的高度相同；

在所述等离子体处理系统的所述等离子体反应器中撞击主要包括中性物的第二等离子体；

在第二蚀刻步骤中蚀刻所述基板上的所述层组；

其中，所述第一步骤中的所述蚀刻和所述第二步骤中的所述蚀刻一致。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在撞击所述第一等离子体的所述步骤之前进行清洁所述等离子体反应器的步骤。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，清洁所述等离子体反应器的所述步骤包括无晶自动清洁工艺。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述可移动均匀环包括耐等离子体攻击的材料。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括石英。

6.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括Y₂O₃。

7.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括钇。

8.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括CeO₂。

9.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括铈。

10.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括AlO₃。

11.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括铝。

12.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括ZrO₂。

13.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括锆。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述可移动均匀环包括当暴露给所述第一等离子体和所述第二等离子体时生成一组挥发性蚀刻产物的材料。

15.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括Teflon。

16.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括Vespel。

17.根据权利要求14所述的方法，其中，所述材料包括纯的塑料。

18.根据权利要求4所述的方法，其中，所述材料包括陶瓷。

19.根据权利要求1所述的方法，其中，所述可移动均匀环被加热。

20.一种在包括等离子体反应器的等离子体处理系统中调整一组等离子体处理步骤的方法，包括：

在基板周围定位可移动均匀环，其中，所述均匀环的顶面处于所述等离子体反应器底面之上的第一高度；

在所述等离子体反应器中撞击包括中性物和离子的第一等离子体；

在第一蚀刻步骤中蚀刻所述基板上的一组层，其中，实现了所述基板上第一数量的蚀刻均匀性；

在所述基板周围重新定位所述可移动均匀环，其中，所述均匀环的所述顶面处于所述等离子体反应器的所述底面之上的第二高度；

撞击主要包括中性物的第二等离子体；

在第二蚀刻步骤中蚀刻所述基板上的所述层组，其中，实现了所述基板上第二数量的蚀刻均匀性；

其中，所述第一数量的蚀刻均匀性和所述第二数量的蚀刻均匀性一致。

21.根据权利要求20所述的方法，其中，在撞击所述第一等离子体的所述步骤之前进行清洁所述等离子体反应器的步骤。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，清洁所述等离子体反应器的所述步骤包括无晶自动清洁工艺。

23.根据权利要求20所述的方法，其中，所述可移动均匀环包括耐等离子体攻击的材料。

24.根据权利要求23所述的方法，其中，所述材料包括石英。

25.根据权利要求23所述的方法，其中，所述材料包括Y₂O₃。