[发明专利]具有隧道触点的半导体结构及其制造方法无效
| 申请号： | 200580032976.6 | 申请日： | 2005-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN101032029A | 公开（公告）日： | 2007-09-05 |
| 发明（设计）人： | 海因茨·米特莱纳;迪特里希·斯蒂芬妮 | 申请（专利权）人： | 西塞德电子发展两合公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L21/331;H01L21/04 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张亮 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 隧道 触点 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
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