[发明专利]用于等离子体处理系统的RF接地开关

权利要求书

1.一种等离子体处理系统，包括：

电极；

RF导电路径结构，所述RF导电路径结构被配置为在RF 能量子系统与所述电极之间提供RF导电路径；

环形RF开关装置，由导电材料构成，所述RF开关装置 和所述RF导电路径结构具有彼此相关的两个相关位置，所述 两个相关位置的第一相关位置的特征在于使所述RF开关装置 与所述RF导电路径结构电耦合，以提供所述电极的RF接地， 所述两个相关位置的第二相关位置的特征在于使所述RF开关 装置从所述RF导电路径电分离；

第一绝缘体结构，被配置为置于所述RF开关装置和所述 RF导电路径之间，以产生所述两个相关位置中的所述第二相 关位置；

致动器，可操作地耦合至所述第一绝缘体结构，所述致 动器移动所述第一绝缘体结构，以使所述第一绝缘体结构交替 地位于第一绝缘体位置和第二绝缘体位置，所述第一绝缘体位 置用于将所述绝缘体结构插于所述开关装置与所述RF导电路 径结构之间，从而使所述开关装置相对于所述RF导电路径结 构位于所述第二相关位置，所述第二绝缘体位置用于使所述绝 缘体位置远离所述环形结构与所述RF导电路径结构之间的区 域，从而使所述开关装置相对于所述RF导电路径位于所述第 一相关位置；以及

散热片，被配置为用于去除来自所述电极的热量，以及 机械地支撑所述致动器。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述开关装 置包括表示用于多个偏置指状物的环形金属环，所述偏置指状 物被配置为在所述第一相关位置与所述RF导电路径结构物理 接触。

3.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述开关装 置是环形的且由BeCu构成。

4.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，还包括：

第二绝缘体结构，与用于提供接地的接地结构耦合；所 述第二绝缘体结构与所述电极耦合，所述第二绝缘体结构置于 所述接地结构和所述电极之间。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述绝缘体 结构由陶瓷材料构成。

6.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述绝缘体 结构由ULTEM形成。

7.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述开关装 置、所述绝缘体结构、以及所述RF导电路径结构呈环形。

8.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述绝缘体 结构由塑料构成。

9.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述致动器 为气动致动器。

10.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述致动器 被配置为沿着平行于以下直线的方向移动所述绝缘体结构：所 述直线垂直于被设置在所述等离子体处理系统中用于等离子 体处理的衬底。

11.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，还包括耦合于RF 电源的输出和所述地之间的滤波器装置，所述滤波器装置被配 置为滤出提供给所述RF导电路径的多个RF信号中所选择的 RF信号。

12.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述电极为 上部电极。

13.根据权利要求12所述的等离子体处理系统，其中所述开关装 置相对于所述RF导电路径结构在所述第二相关位置；以及其 中所述电极被配置为在等离子体处理期间由具有多个频率的 多个RF信号提供能量。

14.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述等离子 体处理系统为电容耦合等离子体处理系统。

15.根据权利要求1所述的等离子体处理系统，其中，所述多个频 率包括大约2MHz、大约28MHz、以及大约60MHz。