[发明专利]隧道氧化膜的氮化处理方法、非易失性存储元件的制造方法和非易失性存储元件，以及控制程序和计算机可读取的存储介质

权利要求书

1.一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其特征在于，具有：

准备形成有用于形成非易失性存储元件的隧道氧化膜的基板的工序，和

使用含有氮气的处理气体进行等离子体处理，由此在所述隧道氧化膜的表面部分形成氮化区域的工序。

2.如权利要求1所述的隧道氧化膜的氮化处理方法，其特征在于，所述等离子体处理利用具有多条缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的等离子体处理装置进行。

3.如权利要求1所述的隧道氧化膜的氮化处理方法，其特征在于，所述处理气体含有稀有气体。

4.如权利要求3所述的隧道氧化膜的氮化处理方法，其特征在于，所述稀有气体为Ar气体。

5.如权利要求1所述的隧道氧化膜的氮化处理方法，其特征在于，所述氮化区域的N掺杂量为1×10¹⁵atoms/cm²以上。

6.如权利要求1所述的隧道氧化膜的氮化处理方法，其特征在于，所述等离子体处理在6.7～266Pa的压力下实施。

7.一种非易失性存储元件的制造方法，其特征在于，具有：

在硅基板上形成隧道氧化膜的工序；

使用含有氮气的处理气体进行等离子体处理，由此在所述隧道氧化膜的表面部分形成氮化区域的工序；

在所述隧道氧化膜上形成浮栅的工序；

在所述浮栅上形成电介质膜的工序；

在所述电介质膜上形成控制栅的工序；和

在所述浮栅和所述控制栅的侧壁形成侧壁氧化膜的工序。

8.如权利要求7所述的非易失性存储元件的制造方法，其特征在于，所述等离子体处理利用具有多条缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的等离子体处理装置进行。

9.如权利要求7所述的非易失性存储元件的制造方法，其特征在于，所述处理气体含有稀有气体。

10.如权利要求9所述的非易失性存储元件的制造方法，其特征在于，所述稀有气体为Ar气体。

11.如权利要求7所述的非易失性存储元件的制造方法，其特征在于，所述氮化区域的N掺杂量为1×10¹⁵atoms/cm²以上。

12.如权利要求7所述的非易失性存储元件的制造方法，其特征在于，所述等离子体处理在6.7～266Pa的压力下实施。

13.一种非易失性存储元件，其特征在于，具备：

硅基板；

在所述硅基板上形成的隧道氧化膜；

在所述隧道氧化膜上形成的浮栅；

在所述浮栅上形成的电介质膜；

在电介质膜上形成的控制栅；和

在所述浮栅和所述控制栅的侧壁形成的侧壁氧化膜，

所述隧道氧化膜的表面部分具有通过使用含有氮气的处理气体的等离子体处理形成的氮化区域。

14.如权利要求13所述的非易失性存储元件，其特征在于，所述氮化区域利用具有多条缝隙的平面天线将微波导入处理室内而产生等离子体的等离子体处理装置形成。

15.如权利要求13所述的非易失性存储元件，其特征在于，所述氮化区域通过使用含有氮气和稀有气体的处理气体的等离子体处理而形成。

16.如权利要求15所述的非易失性存储元件，其特征在于，所述稀有气体为Ar气体。

17.如权利要求15所述的非易失性存储元件，其特征在于，所述氮化区域的N掺杂量为1×10¹⁵atoms/cm²以上。

18.一种控制程序，其特征在于，在计算机上运行时，用计算机控制等离子体处理装置，实施隧道氧化膜的氮化处理方法，所述氮化处理方法具有：

准备形成有用于形成非易失性存储元件的隧道氧化膜的基板的工序，和

使用含有氮气的处理气体进行等离子体处理，由此在所述隧道氧化膜的表面部分形成氮化区域的工序。

19.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于，存储有在计算机上运行的控制程序，

所述控制程序运行时，用计算机控制等离子体处理装置，实施隧道氧化膜的氮化处理方法，所述氮化处理方法具有：

准备形成有用于形成非易失性存储元件的隧道氧化膜的基板的工序，和

使用含有氮气的处理气体进行等离子体处理，由此在所述隧道氧化膜的表面部分形成氮化区域的工序。