[发明专利]半导体照明散热衬底基板材料

权利要求书

1.半导体照明散热衬底基板材料，它是由下列重量百分比的原料和方法制成的：

氧化铍BeO 97～99％，颗粒直径在10～20μm，

氧化铝Al₂O₃ 0.5～1.6％，颗粒直径在10～20μm，

氧化镁MgO 0.4～1.1％，颗粒直径在10～20μm，

氧化钙CaO 0.1～0.3％，颗粒直径在10～20μm，

制备方法：

一、配料：按重量百分比，

氧化铍BeO 97～99％，颗粒直径在10～20μm，

氧化铝Al₂O₃ 0.5～1.6％，颗粒直径在10～20μm，

氧化镁MgO 0.4～1.1％，颗粒直径在10～20μm，

氧化钙CaO 0.1～0.3％，颗粒直径在10～20μm，

二、锻烧

在煅烧前将氧化铍BeO中加入氧化铝Al₂O₃，在密封的容器中，在1600度～1900度的高温中煅烧，10分钟后加入氧化镁，20分钟后加入氧化钙，然后再煅烧40分钟，得纯度高达97～99％的氧化铍材料；

三、球磨混合

将得到的氧化铍材料投入球磨机中，进行研磨，研磨出10～20μm的颗粒；

四、瓷坯成型

将研磨后的氧化铍材料，经过模具成型后，用成型机挤压成形，制成了瓷坯；

五、冲片

将瓷坯经过清水冲洗；

八、烧成

将经过清水冲洗的瓷坯，再进行高温1600～1900度烧结。

2.根据权利要求1所述的半导体照明散热衬底基板材料，其特征在于：它是由下列重量百分比的原料制成的：

氧化铍BeO 97％，颗粒直径在10～20μm，

氧化铝Al₂O₃ 1.6％，颗粒直径在10～20μm，

氧化镁MgO 1.1％，颗粒直径在10～20μm，

氧化钙CaO 0.3％，颗粒直径在10～20μm。