[发明专利]产品中闪存初始化过程遍历数据进行查错的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种对产品中闪存数据进行查错的方法。

背景技术

在工业级产品的运行过程中，产品中闪存(FLASH)所保存的数据常常由于外界环境的影响而出错(也就是常见的“跑飞”现象)。这些外界环境包括：电磁辐射、温度变化、电压冲击以及频繁的通电、断电等因素，导致Memory中的某些“位(bit)”由“1”变成“0”，从而引起产品不能正常运行。严重的还会导致产品不能开机，形成“废品”。

应用于GSM通讯模块(GSM Wireless Module)，该系列产品的工作环境：

a.硬件方案采用美国ADI公司的芯片组，其中数字器件采用AD6525+ARM7TDMI，模拟器件采用AD6533，存储器件采用Intel MCP(Intel3208)；

b.软件方案采用英国TTPCOM公司提供的基于KADAK嵌入式操作系统的平台；

在上述的产品软件解决方案中，数据的存储是按照“记录”来进行的。每一笔“数据记录”有固定的结构，如图1-1所示。

其中，每条“数据记录”需要满足下述四点：

1、“记录的状态位”可以取两种有效值：11111111(标记该数据记录是有效的)、00000000(标记该数据记录是有效的)；

2、“上一记录的地址”的取值必须介于程序规定的最小地址和最大地址之间，如：0x01370000≤上一记录的地址≤0x01390000；

3、“记录的数据长度”等于“记录的数据部分”的字节数；

4、“记录的数据校验数据和”等于“记录的数据部分”所有数据的算术和；

闪存(FLASH)中的数据就是由上述的“数据记录”通过首尾相接的方式连结的。保存在FLASH中的部分数据如图1-2所示，该数据是通过下载工具从产品的FLASH器件中读取出来的。

在遍历整个数据段的过程中，需要检查一个重要的变量的值：“上一记录的地址”。通过该变量的值，可以根据一条“数据记录”迅速查找另一条相关的“数据记录”。

英国TTPCOM公司提供的软件系统解决方案中，往FLASH写入“数据记录”的流程如图1-3所示，包括步骤S₃₀₀-S₃₀₆，S₃₀₀，对闪存开始写数据记录，S₃₀₁-S₃₀₆依次链接，且首尾(S₃₀₁，S₃₀₆)闭合，S₃₀₁，初始化状态，S₃₀₂，写入记录头信息，S₃₀₃，写入记录状态位，S₃₀₄，写入记录数据，S₃₀₅，写入记录结束标记，S₃₀₆，标记原有的记录失效，并执行S₃₀₁。

发明内容

综上所述，如何克服工业级产品中闪存(FLASH)所保存的数据在运行过程中，由于外界环境的影响而出错，即发生数据“跑飞”现象，乃是本发明所要解决的技术问题，为此，本发明的目的在于提供一种模拟产品中闪存初始化过程遍历数据进行查错的方法。

本发明的技术方案如下：

根据本发明的一种产品中闪存初始化过程遍历数据进行查错的方法，包括步骤：