[发明专利]荧光体、荧光胶体及发光二极管组件

说明书

【技术领域】

本发明是有关于一种发光材料以及具有此发光材料的发光装置，且特别是有关于一种荧光体、荧光胶体以及发光二极管。

【背景技术】

一般而言，白光发光二极管光源装置是由导线架、蓝光发光二极管芯片以及荧光胶体所组成。蓝光发光二极管芯片配置于导线架上并电性连接于导线架上，其中蓝光发光二极管芯片为氮化铟镓基(InGaN-based)发光二极管芯片，且此发光二极管芯片适于发出蓝光。荧光胶体覆盖于蓝光发光二极管芯片上。荧光胶体含有黄光荧光体，其材质是YAG:Ce或TAG:Ce。当蓝光发光二极管芯片发出蓝光时，黄光荧光体适于受到蓝光的激发而发出黄光。

当蓝光发光二极管芯片发出蓝光，并且黄光荧光体受到蓝光的激发而发出黄光时，经由蓝光与黄光的混和，发光二极管光源装置便能够提供所需的白光。然而，在目前制作发光二极管组件的技术中，黄光荧光体之材质的选择多为YAG:Ce与TAG:Ce两种材质。是以，目前不论是产业界或是学术界都在积极地寻找够取代上述两种材质之荧光体的材质。

【发明内容】

本发明的一目的就是在提供一种荧光体，其适于受光线的激发而发出特定波长范围的光线。

本发明的另一目的就是在提供一种具有多个荧光体的荧光胶体，其中此荧光体适于受光线的激发而发出特定波长范围的光线。

本发明的再一目的是提供一种具有荧光胶体的发光二极管组件，以提供特定颜色的光线的照明。

本发明提出一种荧光体，其化学式为Me_3-aYO_5-bX_b:aCe其中，Me为钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、铕(Eu)与铽(Tb)其中之一或其组合；Y为硅(Si)、硼(B)与铝(Al)其中之一或其组合；X为氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)或氮(N)；a是介于0.001至0.5之间；b是介于0至5之间。

本发明提出一种荧光胶体，其包括透明材料以及多个第一荧光体。这些第一荧光体是掺杂于透明材料中。这些荧光体的化学式为Me_3-aYO_5-bX_b:aCe其中，Me为钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、铕(Eu)与铽(Tb)其中之一或其组合；Y为硅(Si)、硼(B)与铝(Al)其中之一或其组合；X为氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)或氮(N)；a是介于0.001至0.5之间；b是介于0至5之间。

本发明提出一种发光二极管组件，其包括承载器、发光二极管芯片以及荧光胶体。发光二极管芯片配置于承载器上并且与承载器电性连接，其中发光二极管芯片适于发出第一光线。荧光胶体配置于发光二极管芯片上。此荧光胶体包括透明材料以及多个第一荧光体。这些第一荧光体是掺杂于透明材料中。这些荧光体的化学式为Me_3-aYO_5-bX_b:aCe，其中，Me为钙(Ca)、锶(Sr)、钡(Ba)、铕(Eu)与铽(Tb)其中之一或其组合；Y为硅(Si)、硼(B)与铝(Al)其中之一或其组合；X为氟(F)、氯(Cl)、溴(Br)或氮(N)；a是介于0.001至0.5之间；b是介于0至5之间。

本发明是采用化学式为Me_3-aYO_5-bX_b:aCe的荧光体，经由调整此荧光体中Me、Y与X的成分以及经由调整a值与b值的大小，本发明可以调整此荧光体放射频谱的波长范围。

为让本发明上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。

【附图说明】

图1本发明一个实施例中发光二极管组件剖面示意图。

图2本发明一个实施例中发光二极管组件放射频谱图。

图3本发明另一实施例中发光二极管组件放射频谱图。

图4本发明另一实施例中发光二极管组件剖面示意图。

图4A、4B及4C本发明一个实施例中具有第二荧光体的发光二极管组件的放射频谱图。

图5A、5B及5C本发明另一实施例中具有第二荧光体的发光二极管组件的放射频谱图。

图6本发明第一荧光体的放射及激发频谱图。

【主要组件符号说明】

100：发光二极管组件

100’：发光二极管组件

110：承载器

120：发光二极管芯片

122：第一电极

124：第二电极

126：导线

130：荧光胶体