[发明专利]模造电路板及其制造方法无效

专利信息
申请号: 200610109024.6 申请日: 2006-07-25
公开(公告)号: CN101115354A 公开(公告)日: 2008-01-30
发明(设计)人: 张荣骞 申请(专利权)人: 相互股份有限公司
主分类号: H05K3/00 分类号: H05K3/00;H05K3/34;H05K3/06;H05K5/00;H05K1/18
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 中国台*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 电路板 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种模造电路板的制造方法,包含:

形成线路于导电基板上,该线路具有共平面的第一部分及第二部分;

利用第一上模及第一下模压合该导电基板,使该导电基板变形,而将该第一部分及该第二部分转变为不共平面;及

移除该导电基板。

2.如权利要求1所述的制造方法,其中,在移除该导电基板之前,还包含利用射出成型技术,将塑料覆盖经压合的该导电基板及该线路,并固化该塑料以形成塑料基板。

3.如权利要求2所述的制造方法,其中,该塑料基板的外形藉由该射出成型技术加以定义,该塑料基板为电子装置的外壳。

4.如权利要求1所述的制造方法,其中,在利用该第一上模及该第一下模压合该导电基板的步骤之前,还包含形成无源组件于该导电基板上,该无源组件与该线路电相连。

5.如权利要求2所述的制造方法,其中,在利用该射出成型技术之前,还包含形成半导体组件于该线路上,该半导体组件与该第一部分及该第二部分电相连。

6.如权利要求1所述的制造方法,其中,在利用该第一上模及该第一下模压合该导电基板的步骤之前,还包含将含该线路的该导电基板进行热处理。

7.如权利要求1所述的制造方法,其中,在利用该第一上模及该第一下模压合该导电基板的步骤之前,还包含施加有机黏着层覆盖该线路。

8.如权利要求2所述的制造方法,其中,利用该射出成型技术包含以下步骤:

将含该线路的导电基板置放于第二上模及第二下模之间;

使该塑料注入该第二上模与含该线路的该导电基板之间的空间,其中,该第二上模决定该塑料基板的外形。

9.如权利要求1所述的制造方法,其中,在移除该导电基板的步骤之后,还包含将半导体组件接于(bonding)该线路上,该半导体组件与该第一部分及该第二部分电相连。

10.如权利要求1所述的制造方法,其中,形成该线路于该导电基板上的步骤包含:

形成图案化光致抗蚀剂于该导电基板上;

以该图案化光致抗蚀剂为屏蔽,电镀该线路于该导电基板上;及

移除该图案化光致抗蚀剂。

11.如权利要求10所述的制造方法,其中,在电镀该线路于该导电基板上的步骤之前,还包含以该图案化光致抗蚀剂为屏蔽,电镀蚀刻终止层于该导电基板上。

12.如权利要求10所述的制造方法,其中,在电镀该线路于该导电基板上的步骤之后,还包含以该图案化光致抗蚀剂为屏蔽,电镀保护层于该线路上。

13.一种电子装置的外壳的制造方法,该外壳内镶嵌线路,该方法包含:

形成该线路于导电基板上,该线路具有共平面的第一部分及第二部分;

利用射出成型技术,使塑料覆盖该导电基板及该线路,并固化该塑料以形成外壳;及

移除该导电基板。

14.如权利要求13所述的制造方法,其中,在利用该射出成型技术之前,还包含利用第一上模及第一下模压合该导电基板,使该导电基板变形,而将该第一部分及该第二部分转变为不共平面。

15.如权利要求13所述的制造方法,其中,该射出成型技术包含以下步骤:

将含该线路的导电基板置放于第二上模及第二下模之间;

使该第二上模与含该线路的该导电基板之间具有空间,以供该塑料注入,其中,该第二上模决定该外壳的外形。

16.如权利要求13所述的制造方法,其中,在利用该射出成型技术之前,还包含形成无源组件于该导电基板上,该无源组件与该线路电相连。

17.如权利要求13所述的制造方法,其中,在利用该射出成型技术之前,还包含施加有机黏着层于该线路上。

18.如权利要求13所述的制造方法,其中,在利用该射出成型技术之前,还包含形成半导体组件于该线路上,该半导体组件与该第一部分及该第二部分电相连。

19.如权利要求13所述的制造方法,其中,在利用该射出成型技术之前,还包含将含该线路的该导电基板进行热处理。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于相互股份有限公司,未经相互股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610109024.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top