[发明专利]一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的方法无效

专利信息
申请号: 200610134135.2 申请日: 2006-11-03
公开(公告)号: CN101173881A 公开(公告)日: 2008-05-07
发明(设计)人: 谭军;张磊;张广平;谢天生 申请(专利权)人: 中国科学院金属研究所
主分类号: G01N1/32 分类号: G01N1/32;G01N23/203;G01N13/10
代理公司: 沈阳科苑专利商标代理有限公司 代理人: 张志伟
地址: 110016辽*** 国省代码: 辽宁;21
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 离子束 加工 样品 界面 实现 散射 表征 方法
【说明书】:

技术领域

发明属于样品表征界面的制备和成像技术,具体为一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的方法,它是利用双束聚焦离子束系统加工样品界面从而实现背散射成像的方法,采用双倾转样品台固定表征样品进行离子束制备表征界面和实现背散射成像。

背景技术

扫描电子显微镜(SEM)一般采用二次电子成像进行材料表面显微结构表征,由于二次电子能量低(低于50电子伏特),只有距样品表面很近(100)的表层二次电子才能逸出样品表面,并被检测、放大和成像。用于检测二次电子的探测器,可将样品表面各个方向发出的二次电子全部收集起来,因此扫描电镜的二次电子像具有很强的立体感,直接反映表面形貌特征。而背散射电子所含样品信息由平均元素、表面几何形状、结晶和磁性能等构成,同时背散射电子能量高,试样带电和污染比较小,可获得1μm的实验信息,近年来电子背散射技术广泛用于材料组织结构分析。目前在扫描电镜背散射成像样品制备方法中,一般采用首先机械抛光随后进行化学抛光的方法,随着科学技术的发展,对试样方法提出越来越高的要求,尤其在很多易氧化、腐蚀和低硬度材料的背散射样品制备中,难以制备出符合表征的样品,无法实现背散射衍射花样,使随后电镜分析结果不能反应本征结构。另外,如将样品放在用于加工晶圆的单倾转台,可能使样品在转移过程中造成损伤。

发明内容

本发明的目的在于提供一种用离子束加工样品界面实现背散射表征的方法,采用样品室内双倾转台法代替用于加工晶圆的单倾转台和利用聚焦离子束加工背散射电子表征界面,简单易行,可以制备出符合扫描电镜需求的背散射表征样品,避免了氧化、腐蚀和表面划痕的影响,较好反映需要分析的样品表面特征。

本发明的技术方案是:

本发明背散射样品界面离子束加工和表征方法,采用聚焦离子束系统结合双倾转样品台和固定表征样品进行离子束制备表征界面,进而实现背散射成像,主要由以下步骤完成:

1、在聚焦离子束系统中将需要表征的样品采用碳导电胶固定在样品托上,用紧固螺栓固定样品托在聚焦离子束系统副倾转台上,防止松动,保持副样品台与试样之间的良好导电性,需要制备表征的部位向侧面放置;

2、利用二次电子成像对样品高度进行校准识别,将样品与二次电子探测器之间的工作距离调整为4.9~5.1mm,聚焦样品上表面;

3、倾转聚焦离子束系统主倾转台至与水平方向成50~54度,同时打开离子束,进行双束对中处理,离子束极靴与样品对中距离为16.3~16.7mm,保持离子束加工位置和二次电子观测位置的统一;

4、采用离子束大束流(>3nA)预加工表征界面,采用小束流(50PA~100PA)精加工制备完毕样品需表征界面,加工界面呈镜面光洁,无束流梳状痕迹,达到表征要求,在背散射衍射中出现清晰菊池线花样;

5、旋转聚焦离子束系统主倾转台50~54度回到原始平衡位置,此时需背散射表征界面与二次电子束平行;

6、旋转聚焦离子束系统副倾转台90度,实现离子束加工界面与入射电子束的垂直,启用背散射探测器实现背散射电子界面表征。

所述双倾转样品台为在聚焦离子束系统主倾转台上通过传动轴安装与聚焦离子束系统主倾转台转向相同的聚焦离子束系统副倾转台,聚焦离子束系统副倾转台通过齿轮带动传动轴倾转。

所述步骤4)中,大束流范围为3-20nA。

所述步骤1)中,样品采用碳导电胶固定在样品托上,用紧固螺栓固定样品托在聚焦离子束系统副倾转台上。

所述步骤1)中,样品托通过与聚焦离子束系统副倾转台连接的销一端插装固定,与聚焦离子束系统副倾转台连接的销另一端用紧固螺栓固定。

本发明采用双束聚焦离子束系统,“双束”是指电子束+离子束;双束聚焦离子束系统中,离子束的作用是加工样品,逐渐实现样品表征的界面的光洁平整性;电子束的作用是二次电子成像和背散射成像,与样品加工界面保持垂直,选择背散射探测器对样品加工界面进行表征。离子束极靴是在电子束系统的最下端的组件,可以施加电场,实现电子进入探测器。

本发明的有益效果是:

1、本发明利用聚焦离子束系统结合双倾转台进行背散射样品界面加工和表征,采用聚焦离子束系统加工背散射电子表征界面,更容易在背散射电子束下成像,减少样品的腐蚀、氧化和表面划痕等因素的影响和干扰,为实现高分辨分析表征样品创造条件。

2、本发明可以实现对样品需要表征部位进行精确定点、定位加工,突破二维尺度研制实现材料表面下微观界面的表征。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所,未经中国科学院金属研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610134135.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top