[发明专利]磁性存储装置

权利要求书

1.一种写入磁性存储装置的方法，该磁性存储装置包括第一(31；201) 和第二(49；217)引脚，和所述引脚之间设置的磁阻多层结构(37；207； 247；255)，所述多层结构呈现出相对较高的第一阻态和相对较低的第二阻态， 该多层结构响应于给定持续时间和量值的脉冲可由第一阻态切换至第二阻 态，该脉冲量值为一电流阈值，该电流阈值是切换该多层结构所需的最小电 流值且其基于该脉冲的持续时间，所述方法包括：

将小于阈值电流值的第一量值的电流通过该多层结构，其持续时间小于 给定持续时间；和

增加通过该多层结构的电流，从而通过小于所述阈值电流值的较高量值 的第二电流。

2.根据权利要求1所述的方法，其中将电流通过该多层结构(37；207； 247；255)包括：

将所述阈值电流值0.1至0.5倍之间的第一量值的电流通过该多层结构。

3.根据权利要求1所述的方法，其中将第一量值的电流通过该多层结构 (37；207；247；255)包括：

将电流通过该多层结构，其持续时间为给定持续时间的0.1至0.4倍之间。

4.根据权利要求3所述的方法，其中该给定持续时间小于10ns。

5.根据权利要求1所述的方法，其中将第一量值的电流通过该多层结构 (37；207；247；255)包括：

在持续时间内以固定强度将电流通过该多层结构。

6.根据权利要求1所述的方法，其中将电流通过该多层结构(37；207； 247；255)包括：

将小于所述阈值电流值的第一量值的电流通过该多层结构，其持续时间 在1ns和2ns之间。

7.根据权利要求1所述的方法，其中增加电流包括：

增加电流至所述阈值0.3至0.5倍之间的第二量值。

8.根据权利要求1所述的方法，其中增加电流包括：

增加电流至预定的强度，并在小于给定持续时间的一周期内将电流保持 在该强度。

9.根据权利要求1所述的方法，其中增加电流包括：

增加电流至预定的强度，并在处于给定持续时间的0.1至0.4倍之间的一 周期内将电流保持在该强度。

10.根据权利要求9所述的方法，其中该给定持续时间小于10ns。

11.根据权利要求1所述的方法，其中增加电流包括：

增加电流至预定的强度，并保持电流在固定的强度上。

12.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

将电流从所述较高量值的第二电流的强度降为基准电流强度。

13.根据权利要求1所述的方法，其中该切换多层结构需要的电流阈值I 是：

I＝I_c0(1+C·t_p^-1)

其中I_c0是DC阈值电流，为切换多层结构需要的最小DC电流，C是常 数，t_p是脉冲的持续时间。

14.一种存储器，其包括：

磁性存储装置，其包括

第一(31；201)和第二(49；217)引脚；

所述引脚之间设置的磁阻多层结构(37；207；247；255)，所述多层结 构呈现出相对较高的第一阻态和相对较低的第二阻态，该多层结构响应于给 定持续时间和量值的脉冲可由第一阻态切换至第二阻态，该脉冲量值为一电 流阈值，该电流阈值是切换该多层结构所需的最小电流值且其基于该脉冲的 持续时间；和

控制该磁性存储装置的电路，其配置成执行前述任一权利要求的方法。