[发明专利]增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置

说明书

技术领域

本发明有关于一种增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，于检光器晶粒四周设有P型金属层、降低电阻区、P型半导体区，而将大部份静电疏导分散于检光器晶粒四周释放，以避免大部份静电集中于晶粒中间贯穿，而达增强晶粒抗反偏压静电损害效果，又此检光器晶粒并不改变制程的步骤，所以不会增加制造成本，实为一充分符合产业利用性。

背景技术

按，习用的检光器的晶粒(请参阅图1及图2)，晶粒主要由P型金属层1、受光区2、介电层3、N^-型半导体层4、P型半导体区41、i型光吸收层5、N型缓冲层6、N型基板7、N型金属层8组成：其中，于晶粒表面当存在有大量静电，大量静电贯穿晶粒中间区域会造成晶粒损害，施予反偏压静电来模拟大量静电贯穿晶粒，将负静电荷施予最上层P型金属层1及接地最下层N型金属层8，此时为反偏压状态，负静电荷只能集中于晶粒中间区域释放，使大量负静电贯穿晶粒中间区域，而造成晶粒损害，故抗反偏压静电损害能力不强。

有鉴于上述的缺失弊端，本发明人认为其有急待改进的必要，乃思及改良创作的意念，及其一贯秉持具有的优良设计理念，针对既有的缺失加以改良，经多方设计探讨并多次修正改良，终乃有本发明增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放方法，系为一充分符合实用性的设计。

发明内容

本发明提供一种增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，其目的在于增强检光器晶粒抗反偏压静电损害的能力。

所述装置包括P型金属层、受光区、降低电阻区、介电层、N^-型半导体层、P型半导体区、i型光吸收层、N型缓冲层、N型基板、N型金属层，其中，P型金属层，指反偏压负静电荷连接最上层金属层，位于晶柆表面中间及晶粒四周缘，P型金属层中具有受光区，于受光区周缘为降低电阻区，晶粒四周缘P型金属层下方为降低电阻区；降低电阻区下层为P型半导体区；介电层，为隔开元件，有绝缘功能，其上层为P型金属层，下层为N^-型半导体层；N^-型半导体层，其内有P^-扩散形成的P型半导体区，P型半导体区扩散于受光区下方及晶粒四周P型金属层下方；i型光吸收层，指产生光激电子-电洞对的空乏区，于i型光吸收层上层为N^-型半导体层及P型半导体区，下层为N型缓冲层；N缓冲层，其上层为i型光吸收层，下层为N型基板；N型基板，指于基板上形成半导体，其上层为N型缓冲层，下层为N型金属层；N型金属层，指接地连接最下层金属层，于N型金属层上层为N型基板。

上述的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，其中，所述P型金属层及介电层可设计成易疏导大部份静电释放的不同形状。

上述的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，其中，所述降低电阻区可为P型InGaAs半导体构成。

本发明的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置，于检光器晶粒四周设有P型金属层、降低电阻区、P型半导体区，而将大部份静电疏导分散于检光器晶粒四周释放，避免了大部份静电集中于晶粒中间贯穿，因而达到了增强晶粒抗反偏压静电损害的效果，又此检光器晶粒并不改变制程的步骤，所以不会增加制造成本，充分符合产业利用性。

附图说明

图1：是习用的检光器的晶粒的俯视图；

图2：是习用的检光器的晶粒的剖面图；

图3：是本发明的检光器的晶粒的俯视图；

图4：是本发明的检光器的晶粒的剖面图；

图5：是本发明的检光器的晶粒的另一俯视示意图；

图6：是本发明的检光器的晶粒的另一俯视示意图。

具体实施方式

本发明的增强检光器晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放装置(请参阅图3及图4)，包括P型金属层1、受光区2、降低电阻区21、介电层3、N^-型半导体层4、P型半导体区41、i型光吸收层5、N型缓冲层6、N型基板7、N型金属层8，于检光器晶粒四周设有P型金属层1、降低电阻区21、P型半导体区41，配合晶粒抗反偏压静电损害能力的环礁式静电释放方法，以避免因静电而使晶粒造成损害，其中：