[发明专利]一种低碳烷烃芳构化方法

权利要求书

1.一种低碳烷烃芳构化方法，包括在低碳烷烃芳构化的条件下将低碳烷烃与芳构化催化剂接触，其特征在于，所述芳构化催化剂为改性的中孔沸石催化剂，所述中孔沸石催化剂的改性方法包括：将中孔沸石催化剂与含硅化合物以液固质量比为0.5～1.5∶1的比例于液相接触，于室温下静置浸渍1～60小时，过滤，再于90～120℃干燥3～8小时，之后于300～600℃焙烧2～12小时。

2.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中孔沸石催化剂的改性方法中，将中孔沸石催化剂与含硅化合物接触前，还包括将催化剂置于400～800℃的水蒸汽气氛中老化1～20小时。

3.按照权利要求2所述的方法，其特征在于，所述老化温度为450～700℃，老化时间为2～16小时。

4.按照权利要求3所述的方法，其特征在于，所述老化温度为480～600℃、老化时间为3～10小时。

5.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硅化合物选自硅氧烷、聚硅氧烷、硅烷或烷氧基硅烷中的一种或几种。

6.按照权利要求5所述的方法，其特征在于，所述聚硅氧烷为聚二甲基硅氧烷或聚甲基羟基硅氧烷。

7.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述含硅化合物与催化剂或沸石的液固比为0.7～1.3∶1，接触后的静置时间为8～30小时，焙烧时间为3～6小时。

8.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述催化剂中源自所述含硅化合物的二氧化硅含量为0.5～8重量％。

9.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述中孔沸石为ZSM-5沸石和/或ZRP沸石。

10.按照权利要求9所述的方法，其特征在于，所述中孔沸石为ZRP沸石，其n(SiO₂)与n(Al₂O₃)之比为10～200。

11.按照权利要求1所述的方法，其特征在于，所述芳构化条件为：反应温度500～680℃、反应重时空速0.4～1.3h^-1、以表压表示的反应压力0～0.2MPa。