[发明专利]具有可在用于数据和用于纠错码之间进行切换的区间的存储器无效

专利信息
申请号: 200680002441.9 申请日: 2006-02-16
公开(公告)号: CN101167140A 公开(公告)日: 2008-04-23
发明(设计)人: 詹姆斯·M·西比格特罗斯;布赖恩·E·库克;乔治·L·埃斯皮诺尔;克莱·E·梅芮特;布鲁斯·L·莫顿 申请(专利权)人: 飞思卡尔半导体公司
主分类号: G11C29/00 分类号: G11C29/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 康建峰
地址: 美国得*** 国省代码: 美国;US
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摘要:
搜索关键词: 具有 用于 数据 纠错码 之间 进行 切换 区间 存储器
【权利要求书】:

1.一种存储器,包括:

存储器阵列中的第一多个存储单元,其中,该第一多个存储单元中的每一个存储单元都被耦合到字线,该第一多个存储单元包括:

第二多个存储单元,该第二多个存储单元被配置为存储数据;和

第三多个存储单元,其中,在第一模式中,该第三多个存储单元被配置为存储数据,在第二模式中,该第三多个存储单元被配置为存储纠错码信息。

2.如权利要求1所述的存储器,其中:

在第二模式中,该第三多个存储单元的存储单元被配置为存储纠错码信息,以用于存储在第二多个存储单元的存储单元中的数据。

3.如权利要求1所述的存储器,还包括:

第四多个存储单元,其中,该第四多个存储单元的每一个存储单元都被耦合到第二字线,该第四多个存储单元包括:

第五多个存储单元,该第五多个存储单元被配置为存储数据;和

第六多个存储单元,其中,在第一模式中,该第六多个存储单元被配置为存储数据,在第二模式中,该第六多个存储单元被配置为存储纠错码信息。

4.如权利要求3所述的存储器,其中:

第二多个存储单元被设置在存储器阵列的第一列集合中;

第五多个存储单元被设置在存储器阵列的该第一列集合中;

第三多个存储单元被设置在存储器阵列的第二列集合中;和

第六多个存储单元被设置在存储器阵列的该第二列集合中。

5.如权利要求1所述的存储器,其中,第一多个的存储单元的特征在于为非易失性存储单元。

6.如权利要求1所述的存储器,其中,第一多个的存储单元的特征在于为闪存单元。

7.如权利要求1所述的存储器,其中,第二多个存储单元和第三多个存储单元在第一擦除操作中被擦除。

8.如权利要求7所述的存储器,还包括:

耦合到第二字线的第四多个存储单元,其中,所述第四多个的存储单元在第一擦除操作过程中不被擦除。

9.如权利要求1所述的存储器,还包括:

数据总线;和

纠错码电路;

其中,在第一模式中,数据总线从第三多个存储单元的一组存储单元接收数据,以响应对第三多个的该组存储单元的读取请求;和

其中,在第二模式中,纠错码电路从第二多个存储单元的一组存储单元处接收数据,并从第三多个存储单元的一组存储单元接收纠错码信息,以响应对第二多个的该组存储单元的读取请求。

10.如权利要求1所述的存储器,其中:

在第一模式中,数据总线从第三多个存储单元的一组存储单元接收数据,以响应对该组存储单元的读取请求;和

在第二模式中,数据总线不能接收存储在该第三多个存储单元中的信息。

11.如权利要求1所述的存储器,还包括:

地址总线,该地址总线接收用于对存储器阵列的存储单元进行访问的地址;

用于存储器阵列的行解码器电路和列解码器电路;和

耦合到地址总线的地址映射器电路,该地址映射器电路包含耦合到该行解码器电路和该列解码器电路的输出;

其中,第二多个的存储单元被设置在存储器阵列的第一列集合中;

其中,在第一模式中,地址映射器将来自地址总线的第一读取地址解码,以按照第一解码模式驱动它的耦合到行解码器电路和列解码器电路的输出,从而读取存储在第三多个的存储单元中的数据;和

其中,在第二模式中,地址映射器将来自地址总线的第一读取地址解码,以按照第二解码模式驱动它的耦合到行解码器电路和列解码器电路的输出,从而读取存储在位于第一列集合的列中的存储单元中的数据。

12.一种操作存储器的方法,该存储器包括耦合到字线的第一多个存储单元,该第一多个存储单元包含第二多个存储单元和第三多个存储单元,该方法包括:

其中,在第一模式中:

在该第二多个存储单元中存储数据;和

在该第三多个存储单元中存储数据;和

其中,在第二模式中:

在该第二多个存储单元中存储数据,并且在该第三多个存储单元中存储纠错码信息。

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