[发明专利]具有厚氧化硅和氮化硅钝化层的光电池及其制造方法

权利要求书

1.一种生产光生伏打器件的方法，该方法包括：

i.提供一半导体基板，该基板具有用于收集入射光的前主面和与该前主面相对的背面，

ii.在所述背面上沉积电介质层或宽带隙半导体层，其中电介质层的厚度大于100纳米，

iii.在所述电介质层或所述宽带隙半导体层上沉积包含氢化SiN的钝化层，

iv.形成贯穿所述电介质层或宽带隙半导体层和所述钝化层的后触头。

2.一种生产光生伏打器件的方法，该方法包括：

i.提供半导体基板，该基板具有用于收集入射光的前主面和与该前主面相对的背面，

ii.在所述背面上沉积电介质叠层，其中所述电介质叠层包含电介质层和/或宽带隙半导体层的亚叠层，所述亚叠层的厚度大于100纳米，所述电介质叠层的厚度大于200纳米，

iii.形成贯穿所述电介质叠层的后触头。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，在所述背面上沉积电介质叠层包括在背面上沉积电介质层和/或宽带隙半导体层的亚叠层和在所述亚叠层上沉积钝化层。

4.如权利要求2或3所述的方法，其特征在于，还包括在基板与电介质层和/或宽带隙半导体层的亚叠层之间形成一高品质层。

5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述高品质层是氧化铝层。

6.如权利要求1至5中任一项所述的方法，其特征在于，所述电介质层或宽带隙半导体层、或者电介质层和/或宽带隙半导体层的亚叠层的厚度在100纳米至1500纳米之间，优选在150纳米至1200纳米之间，更优选在200纳米至1200纳米之间，更优选在400纳米至800纳米之间，或者在800纳米至1200纳米之间。

7.如权利要求1至6中任一项所述的方法，其特征在于，沉积电介质层或宽带隙半导体层、或者电介质层和/或宽带隙半导体层的亚叠层包括沉积一低品质电介质层。

8.如权利要求1或7所述的方法，其特征在于，在所述背面上沉积电介质层包括沉积SiN层。

9.如权利要求7所述的方法，其特征在于，沉积电介质层和/或宽带隙半导体层的亚叠层包括沉积多个低品质电介质层。

10.如权利要求7至9中任一项所述的方法，其特征在于，沉积低品质电介质层包括沉积低品质氧化物。

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述低品质氧化物包括低品质无定形氧化物。

12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述低品质无定形氧化物是APCVD热解氧化物、旋涂氧化物、喷涂氧化物或浸渍氧化物。

13.如权利要求1至12中任一项所述的方法，其特征在于，形成后触头包括在所述电介质层或宽带隙半导体层和所述钝化层中或在所述电介质叠层中形成孔眼，在所述钝化层上或所述电介质叠层上沉积接触材料层，从而填充所述孔眼。

14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述接触材料层是不连续的。

15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，在沉积接触材料层的步骤中，所述接触材料基本沉积在所述孔眼中。

16.如权利要求13至15中任一项所述的方法，其特征在于，沉积接触材料层通过蒸发、溅射或丝网印刷进行。

17.如权利要求13至16中任一项所述的方法，其特征在于，形成孔眼通过施加蚀刻膏、雕合或激光烧蚀进行。

18.如权利要求13至17中任一项所述的方法，其特征在于，还包括对接触材料层进行600-1000℃的高温步骤。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述高温步骤是接触烧结步骤，在高于730℃、低于960℃的温度下进行。

20.如权利要求1至19中任一项所述的方法，其特征在于，还包括在沉积所述电介质层或宽带隙半导体层或电介质叠层之前，扩散和去除发射极的步骤。

21.如权利要求1或权利要求1的从属权项中任一项所述的方法，其特征在于，在沉积电介质层或宽带隙半导体层的步骤之后，在沉积钝化层的步骤之前，进行扩散步骤。