[发明专利]多芯片模块及制造方法

权利要求书

1.一种用于制造多芯片模块(10)的方法，包括下列步骤：

提供具有第一主要表面(14)与第二主要表面(16)的支撑衬底(12)，其中该支撑衬底(10)具有芯片接收区(38)与多个接合垫(18、20)；

将第一半导体芯片(40)连接至该芯片接收区(38)，该第一半导体芯片(40)具有多个接合垫(46)；

将该第一半导体芯片(40)的该多个接合垫(46)中的第一接合垫(46A)连接至该支撑衬底(12)的该多个接合垫(18、20)中的第一接合垫(18A)；

将间隔件(50)连接至该第一半导体芯片(40)的一部分；

将支撑材料(60)配置在该间隔件(50)或该第一半导体芯片(40)的至少其中之一上；

将第二半导体芯片(64)定位在该支撑材料(60)上，该第二半导体芯片(64)具有第一主要表面(68)与多个接合垫(70)，其中定位该第二半导体芯片(64)的步骤在横向的方向挤压该支撑材料(60)；以及

将该第二半导体芯片(64)的该多个接合垫(70)中的第一接合垫(70A)连接至该支撑衬底(12)的该多个接合垫(20)中的第二接合垫(20A)。

2.如权利要求1所述的方法，其中将该第二半导体芯片(64)的该多个接合垫(70)中的该第一接合垫(70A)连接至该支撑衬底(12)的该多个接合垫(18、20)中的该第二接合垫(20A)的步骤包括利用引线接合方式将该第二半导体芯片(64)的该多个接合垫(70)的该第一接合垫(70A)连接至该支撑衬底(12)的该多个接合垫(18、20)的该第二接合垫(20A)，以及其中将该第一半导体芯片(40)的该多个接合垫(46)的该第一接合垫(46A)连接至该支撑衬底(12)的该多个接合垫(18、20)的该第一接合垫(18A)的步骤包括利用引线接合方式将该第一半导体芯片(40)的该多个接合垫(46)的该第一接合垫(46A)连接至该支撑衬底(12)的该多个接合垫(18、20)的该第一接合垫(18A)。

3.如权利要求1所述的方法，其中将该第二半导体芯片(64)定位在该支撑材料(60)上的步骤包括促使该支撑材料(60)覆盖在该间隔件(50)的第一边缘(53)与第二边缘(55)上。

4.如权利要求1所述的方法，其中配置该支撑材料(60)的步骤包括将该支撑材料(60)配置在该间隔件(50)上。

5.如权利要求1所述的方法，其中该间隔件(50)包括具有第一与第二主要表面与至少一个接合垫的第三半导体芯片。

6.一种用于制造多芯片模块(10)的方法，包括下列步骤：

提供具有第一半导体芯片(40)的支撑衬底(12)，其中该第一半导体芯片(40)接置在该支撑衬底(12)的芯片接收区(38)，该支撑衬底(12)具有多个接合垫(18、20)，且该第一半导体芯片(40)具有多个接合垫(46)；

将间隔件(50)连接至该第一半导体芯片(40)，该间隔件(50)具有第一边缘(53)与相对的第二边缘(55)；

将支撑材料(60)配置在该间隔件(50)或该第一半导体芯片(64)的其中之一上；以及

将第二半导体芯片(64)连接至该间隔件(50)，以使该支撑材料(60)被横向推动至该第一半导体芯片(40)与该第二半导体芯片(64)之间，从而对该第二半导体芯片(64)提供支撑。

7.如权利要求6所述的方法，其中将该支撑材料(60)配置在该间隔件(50)或该第一半导体芯片(40)的其中之一上的步骤包括将该支撑材料(60)配置在该第一半导体芯片(46)上，以及其中将该第二半导体芯片(64)连接至该间隔件(50)的步骤包括横向地推动该支撑材料(60)，以使该支撑材料(60)定位在该第一半导体芯片(40)与该第二半导体芯片(64)之间。

8.如权利要求6所述的方法，其中将该第二半导体芯片(64)连接至该间隔件(50)的步骤包括使用胶黏剂膜将该第二半导体芯片(64)连接至该间隔件(50)。