[发明专利]用于增强微波和毫米波系统的电感减小的互连

权利要求书

1.一种微波和毫米波结构，包括：

薄电介质层，其具有形成穿过所述电介质层的凹入，所述凹入具有精确尺寸的竖直侧壁；所述薄电介质层具有小于10密耳的厚度；

金属衬底，其具有附装到所述电介质层的第一侧的RF和DC金属迹线，所述RF和DC金属迹线中的至少一个耦合到与所述精确尺寸的竖直侧壁中的一个相邻的接合焊盘；

金属传热和电接地面，其在所述电介质层的的第二侧上附装到所述电介质层，所述第二侧与所述电介质层的所述第一侧相对；

从包括微波电路、毫米波电路和分立半导体部件的群组中选择的器件，所述器件布置在所述凹入中并具有与所述精确尺寸的竖直侧壁基本平行的相对侧部和与所述迹线基本共面的表面；

互连，其在所述器件与所述接合焊盘之间，并具有使得所述微波和毫米波结构具有高频低转换损耗的长度；并且

其中所述互连的长度小于15密耳。

2.根据权利要求1所述的微波和毫米波结构，其中：

所述接地面可工作以提供结构支撑和辐射能力；并且

所述电介质的厚度被选择为：

基于器件厚度，实现共面性；

获得可控的微波阻抗；

对于更高频率的工作来最小化过孔电感和微波损耗；并且

获得对凹入尺寸和侧壁特性的精确控制。

3.根据权利要求1所述的微波和毫米波结构，其中所述器件的相对侧部中的至少一个与所述基本竖直侧壁中的相应一个之间的距离小于1密耳。

4.一种结构，包括：

电介质层，其具有形成穿过所述电介质层的凹入，所述凹入具有基本竖直侧壁；

金属衬底，其具有附装到所述电介质层的第一侧的迹线，至少一个迹线耦合到与所述基本竖直侧壁中的一个相邻的接合焊盘；

接地面，其在所述电介质层的与所述电介质层的第二侧上附装到所述电介质层，所述第二侧与所述第一侧相对；

集成电路，其布置在所述凹入中，所述集成电路具有与所述竖直侧壁基本平行的相对侧部；

互连，其在所述微波半导体器件与所述接合焊盘之间；并且

其中所述互连的长度小于15密耳。

5.根据权利要求4所述的结构，其中：

所述结构是微波和毫米波结构；

所述电介质层是具有小于10密耳的厚度的薄电介质层；

所述集成电路从包括微波电路、毫米波电路和分立半导体部件的群组中选择；

所述基本竖直侧壁是精确尺寸的竖直侧壁；

所述接地面是金属传热和电接地面；

所述集成电路具有与所述迹线基本共面的表面；

所述迹线是RF和DC金属迹线；并且

所述互连具有使得所述微波和毫米波结构具有高频低转换损耗的长度。

6.根据权利要求5所述的结构，其中：

所述接地面可工作以提供结构支撑和辐射能力；并且

所述电介质的厚度被选择为：

基于器件厚度，实现共面性；

获得可控的微波阻抗；

对于更高频率的工作来最小化过孔电感和微波损耗；并且

获得对凹入尺寸和侧壁特性的精确控制。

7.根据权利要求4所述的结构，其中：

使用激光微机械处理来形成所述凹入的所述竖直侧壁；

所述凹入的深度被形成为比所述集成电路的高度大1密耳的量级；并且

其中所述互连的长度在3和15密耳之间。

8.根据权利要求4所述的结构，其中使用激光微机械处理来形成所述凹入的所述竖直侧壁。

9.根据权利要求4所述的结构，其中所述凹入的深度被形成为比所述集成电路的高度大1密耳的量级。

10.根据权利要求4所述的结构，其中所述集成电路的所述相对侧部中的至少一个与所述基本竖直侧壁中的相应一个之间的距离小于1密耳。

11.根据权利要求4所述的结构，其中所述互连的长度在3和15密耳之间。

12.根据权利要求4所述的结构，其中所述互连的长度是约3密耳。

13.根据权利要求4所述的结构，其中所述接合焊盘位于距所述凹入的所述基本竖直侧壁中的所述一个约0至1密耳的距离处。