[发明专利]原位掺杂N型发射极的掺杂分布改进

权利要求书

1.一种形成发射极-基极结的方法，包括步骤：

提供基极层(26)；以及

利用包含一组工艺气体的气流在基极层(26)上生长一个掺杂的单晶发射极层(28)，其中，气流包括加入到工艺气体中作为最初几秒的气流的锗(Ge)源。

2.按照权利要求1所述的方法，其中，基极层包含一个硼掺杂基极外延层。

3.按照权利要求2所述的方法，其中，掺杂的单晶发射极层是从包含砷掺杂外延层、磷掺杂外延层和锑掺杂外延层的组中选择的。

4.按照权利要求1所述的方法，其中，在大约5％或更少的生长掺杂单晶发射极层所需的时间内加入锗源。

5.按照权利要求1所述的方法，其中，锗源是从包含GeH₄和GeCl₄的组中选择的。

6.按照权利要求1所述的方法，其中，工艺气体另外还包括：硅源和砷源。

7.按照权利要求1所述的方法，其中，基极层包含一个碳掺杂SiGe层。

8.一种加工晶片的方法，其中包括下列步骤：

将晶片放入反应腔；

在处理之前保持反应腔内已升高的温度；

使氢气通过反应腔；

打开一组工艺气体，其中，工艺气体中包括锗(Ge)源；

在头几秒内关闭锗源；和

在足够长的随后时间后关闭剩余的工艺气体。

9.按照权利要求8所述的方法，其中，已升高的温度大约是700℃。

10.按照权利要求8所述的方法，其中，已升高的温度持续提供大约1分钟。

11.按照权利要求8所述的方法，其中，工艺气体包括硅源和砷源。

12.按照权利要求8所述的方法，其中，锗源是从包含GeH₄和GeCl₄的组中选择的。

13.按照权利要求8所述的方法，其中，在大约5％或更少的生长掺杂单晶发射极层所需的时间内加入锗源。

14.按照权利要求8所述的方法，其中，在大约180秒后关闭剩余的工艺气体。

15.一种加工半导体的方法，包括步骤：

利用包含一组工艺气体的气流在基极外延层(26)上生长一个掺杂单晶发射极层(28)，其中气流包括加入到工艺气体中作为最初几秒的气流的锗(Ge)源。