[发明专利]簇射极板及采用该簇射极板的等离子体处理装置无效

专利信息
申请号: 200680041735.2 申请日: 2006-11-07
公开(公告)号: CN101305451A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 大见忠弘;松冈孝明 申请(专利权)人: 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社
主分类号: H01L21/31 分类号: H01L21/31;H01L21/3065;C23C16/455
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李贵亮
地址: 日本国*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 极板 采用 等离子体 处理 装置
【权利要求书】:

1.一种等离子体处理装置用簇射极板,其具有以在邻接的配管间形 成开口部的方式配置多个配管的构造,所述配管由规定处理用气体的流路 的第1配管构件和与所述第1配管构件连接配置并包含对所述处理用气体 具有透过特性的多孔质材料构件的第2配管构件构成,并且,所述第2配 管构件朝向外侧呈凸形状,并构成为相对于所述配管间的所述开口部能够 喷出所述处理用气体。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中,所 述第2配管构件的厚度在中心部厚,随着朝向周边厚度减少。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 所述簇射极板的中心部的所述第2配管构件中的所述多孔质材料构件的气 孔率,与所述簇射极板的周边部的所述第2配管构件中的所述多孔质材料 构件的气孔率不同。

4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 在所述配管的内部形成有冷却剂气体的流路。

5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中,上 述多孔质材料构件由多个金属细线形成。

6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中,所 述金属细线含铜-钨合金。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中,在 所述金属细线上形成有氧化钇被膜。

8.一种等离子体处理装置用簇射极板,其具有以在邻接的配管间形 成开口部的方式配置多个配管的构造,所述配管具备规定处理用气体的流 路的第1配管构件和与所述第1配管构件连接将所述处理用气体向外部排 出的第2配管构件,并且,在所述第1配管构件的内部形成有使冷却剂气 体流通的气体流路,所述第2配管构件朝向外侧呈凸形状,并构成为相对 于所述配管间的所述开口部能够喷出所述处理用气体,

并且,所述第2配管构件具有由相对于所述处理用气体具有透过特性 的多孔质材料形成的配管部件。

9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中,所 述第1配管构件在配置的所述多个配管内被连结,且所述使冷却剂气体流 通的气体流路与所述第1配管构件平行配置。

10.根据权利要求1或8所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 所述配管由含有铜和钨的合金形成。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 所述铜和钨的合金为含有10~20%的铜、90~80%的钨的合金。

12.根据权利要求1或8所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 在所述配管的外面涂布有氧化钇被膜。

13.根据权利要求1或8所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 所述配管配置为环状。

14.根据权利要求1或8所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 所述配管配置为格子状。

15.一种等离子体处理装置,其中,使用了权利要求1~14中任一项 所述的等离子体处理装置用簇射极板。

16.根据权利要求15所述的等离子体处理装置,其中,将所述等离 子体处理用簇射极板设置为下段簇射极板。

17.一种等离子体处理方法,其中,使用权利要求1~14中任一项所 述的簇射极板将处理用气体导入等离子体装置中,对基板进行等离子体处 理。

18.一种电子装置的制造方法,其中,在工序中包含权利要求17的 等离子体处理。

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