[发明专利]簇射极板及采用该簇射极板的等离子体处理装置无效
申请号: | 200680041735.2 | 申请日: | 2006-11-07 |
公开(公告)号: | CN101305451A | 公开(公告)日: | 2008-11-12 |
发明(设计)人: | 大见忠弘;松冈孝明 | 申请(专利权)人: | 国立大学法人东北大学;东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/31 | 分类号: | H01L21/31;H01L21/3065;C23C16/455 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李贵亮 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 极板 采用 等离子体 处理 装置 | ||
1.一种等离子体处理装置用簇射极板,其具有以在邻接的配管间形 成开口部的方式配置多个配管的构造,所述配管由规定处理用气体的流路 的第1配管构件和与所述第1配管构件连接配置并包含对所述处理用气体 具有透过特性的多孔质材料构件的第2配管构件构成,并且,所述第2配 管构件朝向外侧呈凸形状,并构成为相对于所述配管间的所述开口部能够 喷出所述处理用气体。
2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中,所 述第2配管构件的厚度在中心部厚,随着朝向周边厚度减少。
3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 所述簇射极板的中心部的所述第2配管构件中的所述多孔质材料构件的气 孔率,与所述簇射极板的周边部的所述第2配管构件中的所述多孔质材料 构件的气孔率不同。
4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 在所述配管的内部形成有冷却剂气体的流路。
5.根据权利要求1所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中,上 述多孔质材料构件由多个金属细线形成。
6.根据权利要求5所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中,所 述金属细线含铜-钨合金。
7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中,在 所述金属细线上形成有氧化钇被膜。
8.一种等离子体处理装置用簇射极板,其具有以在邻接的配管间形 成开口部的方式配置多个配管的构造,所述配管具备规定处理用气体的流 路的第1配管构件和与所述第1配管构件连接将所述处理用气体向外部排 出的第2配管构件,并且,在所述第1配管构件的内部形成有使冷却剂气 体流通的气体流路,所述第2配管构件朝向外侧呈凸形状,并构成为相对 于所述配管间的所述开口部能够喷出所述处理用气体,
并且,所述第2配管构件具有由相对于所述处理用气体具有透过特性 的多孔质材料形成的配管部件。
9.根据权利要求8所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中,所 述第1配管构件在配置的所述多个配管内被连结,且所述使冷却剂气体流 通的气体流路与所述第1配管构件平行配置。
10.根据权利要求1或8所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 所述配管由含有铜和钨的合金形成。
11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 所述铜和钨的合金为含有10~20%的铜、90~80%的钨的合金。
12.根据权利要求1或8所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 在所述配管的外面涂布有氧化钇被膜。
13.根据权利要求1或8所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 所述配管配置为环状。
14.根据权利要求1或8所述的等离子体处理装置用簇射极板,其中, 所述配管配置为格子状。
15.一种等离子体处理装置,其中,使用了权利要求1~14中任一项 所述的等离子体处理装置用簇射极板。
16.根据权利要求15所述的等离子体处理装置,其中,将所述等离 子体处理用簇射极板设置为下段簇射极板。
17.一种等离子体处理方法,其中,使用权利要求1~14中任一项所 述的簇射极板将处理用气体导入等离子体装置中,对基板进行等离子体处 理。
18.一种电子装置的制造方法,其中,在工序中包含权利要求17的 等离子体处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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