[发明专利]用于射频识别标签的射频接口电路

权利要求书

1.一种用于射频识别标签的射频接口电路(11)，其包括：

至少两个输入终端(RF+，RF-)，用于连接电路(10)和所述射 频识别标签的天线结构；

一个或多个可变电阻负载(14)，其跨接输入终端对(RF+，RF-)；

一个或多个整流器(15)，每个整流器均在其输入侧连接至输 入终端对(RF+，RF-)，在其输出侧连接至电压控制装置(16)和 调制控制装置(17)的并联连接；

其中，提供了组合器装置(18)，其适于分别从电压控制装置 (16)和调制控制装置(17)接收输出信号(19，20)，并根据接 收到的输出信号(19，20)产生控制每个可变电阻负载(14)的控制信 号(21)，

其中，可变电阻负载(14)和组合器装置(18)的组合起调制、 电压调整和静电释放保护电路的作用。

2.根据权利要求1所述的电路，其中，所述组合器装置(18)适 于从接收到的来自电压控制装置(16)的输出信号(19)来检测过 压状况，并产生所述控制信号(21)，以便将每一个可变电阻负载(14) 设置为限制每个整流器(15)的输入电压的值。

3.根据权利要求1所述的电路，其中，所述组合器装置(18)适 于根据从所述调制控制装置(17)接收到的输出信号(20)来调 制所述控制信号(21)，以便调制每个可变电阻负载(14)的电阻， 以在所述射频识别标签上发送数据。

4.根据权利要求1所述的电路，其中，该电路适于工作在800MHz 左右的超高频UHF范围。

5.根据权利要求1所述的电路，其中可变电阻负载是MOSFET (14)，其跨接在输入终端(RF+，RF-)上，其中所述控制信号(21) 耦接至所述MOSFET(14)的栅极。

6.根据权利要求5所述的电路，其中设计所述MOSFET(14) 来对典型的静电释放电压进行钳位。

7.一种用于射频识别标签(2a，2b)的集成电路，其包括如之前 任何一项权利要求所述的射频接口电路(11)。

8.一种射频识别标签(2a，2b)，其包括如之前任何一项权利要 求所述的射频接口电路(11)。