[发明专利]一种对垂直晶舟上大量晶圆侦测的方法无效
申请号: | 200710025505.3 | 申请日: | 2007-08-01 |
公开(公告)号: | CN101359610A | 公开(公告)日: | 2009-02-04 |
发明(设计)人: | 王爱进 | 申请(专利权)人: | 和舰科技(苏州)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;G01B11/00;C23C16/52 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 | 代理人: | 陈忠辉;姚姣阳 |
地址: | 215025江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 垂直 晶舟上 大量 侦测 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种检测方法,尤其涉及集成电路制造中对垂直晶舟上大量晶圆侦测的方法。
背景技术
在化学气相沉积中,为进行150片或更多晶圆的批次量产,炉管内晶圆垂直密集地竖放于晶舟上,摆放在晶舟上的每片晶圆间隔一格。通常,炉管的运行为批量生产方式,一批150片晶圆被放置于垂直的晶舟上,然后晶舟上升至反应室进行工艺反应。
现有技术中,在晶舟进入炉管前,并没有机制方式或方法对晶圆在晶舟上的位置正确与否进行确认,而是直接进入反应室内,如图4所示。在这种情况下,晶圆在晶舟可能发生以下两种可能而不被侦测到:(1)凸片不整齐现象,如图5a,会影响制程均匀度,情况严重时会在晶舟进入反应室的过程中形成撞击破片,图6a所示,会造成大量报废,(2)斜插现象,如图5b,即位于别的晶圆所在位子,制程结束后,当传送器重新将晶圆从晶舟上传至暗盒内时,传送器会与斜插的晶圆撞击导致破片或刮伤报废,图6b所示。从而,给工艺带来一定的威胁,影响生产的顺利进行。
因此,在晶舟进入炉管前能对晶圆在晶舟上的位置正确与否进行检测确认,能正确侦测凸片和斜插等不良情况,将是集成电路制造中一项意义重大的研究课题。
发明内容
本发明的目的是提供一种对垂直晶舟上大量晶圆侦测的方法,旨在有效消除凸片和斜插现象的发生,避免工艺制程的不均匀和撞击破片及刮伤等不良后果。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:
一种对垂直晶舟上大量晶圆侦测的方法,其特征在于:在机台内壁晶舟附近设置光感传感器,在传送器上设置扫描传感器;在晶舟进入反应室之前,光感传感器自上而下进行扫描,晶圆有突出时即遮住光感传感器发出的红外线,光感传感器发出警报,机械动作停止;另外,在晶舟进入反应室之前以及从反应室出来后,传送器上的扫描传感器自上而下扫描晶舟上的晶圆,有斜插时扫描传感器发出警告信号,传送即停止。
进一步地,上述的一种对垂直晶舟上大量晶圆侦测的方法,所述光感传感器有一发射端和一接收端。
本发明技术方案的突出的实质性特点和显著的进步主要体现在:
本发明通过在机台内壁晶舟附近设置光感传感器和在传送器上设置扫描传感器,在晶舟进入反应室之前,光感传感器自上而下进行扫描,晶圆有突出时即遮住光感传感器发出的红外线,光感传感器发出警报,机械动作停止;在晶舟进入反应室之前以及从反应室出来后,传送器上扫描传感器自上而下扫描晶舟上的晶圆,有斜插时扫描传感器发出警告信号,传送即停止;能够有效避免工艺制程的不均匀和撞击破片及刮伤等不良后果的发生,产生了巨大的经济效益和社会效应。
附图说明
下面结合附图对本发明技术方案作进一步说明:
图1:反应室的结构示意图;
图2:传送装置的结构示意图;
图3a:晶舟的侧面图;
图3b:晶舟的俯视图;
图4:晶舟上升进入反应室的示意图;
图5a:现有技术晶圆在晶舟上发生凸片现象的示意图;
图5b:现有技术晶圆在晶舟上发生斜插现象的示意图;
图6a:图5a凸片现象导致撞击破片的示意图;
图6b:图5b斜插现象导致破片刮伤的示意图;
图7:本发明在机台内壁晶舟附近设置光感传感器的示意图;
图8:本发明在传送器上设置扫描传感器的示意图。
图中各附图标记的含义:1—反应室,2—晶舟,3—传送器,4—晶圆,5—机台,6—光感传感器,7—扫描传感器。
具体实施方式
如图1~3b所示的气相沉积工艺设备的反应室1、传送器3及晶舟2,炉管内晶圆4垂直密集地竖放于晶舟2上。
对垂直晶舟上大量晶圆侦测的方法,不仅在机台5的内壁晶舟2的附近设置光感传感器6,还在传送器上3上设置扫描传感器7;在晶舟2进入反应室1之前,光感传感器6自上而下进行扫描,类似电梯门的光感传感器,一端发射,一端接受,图7所示,晶圆4有突出时即遮住光感传感器6发出的红外线,光感传感器6发出警报,机械动作停止;另外,在晶舟2进入反应室1之前以及从反应室1出来后,传送器上的扫描传感器7自上而下扫描晶舟2上的晶圆4,图8所示,有斜插时扫描传感器7发出警告信号,传送即停止。
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