[发明专利]用金属氧化物作为存储介质的非挥发SRAM及其应用无效
申请号: | 200710039404.1 | 申请日: | 2007-04-12 |
公开(公告)号: | CN101042933A | 公开(公告)日: | 2007-09-26 |
发明(设计)人: | 林殷茵;陈邦明;李莹;傅秀峰 | 申请(专利权)人: | 复旦大学 |
主分类号: | G11C13/00 | 分类号: | G11C13/00;G11C11/41 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 | 代理人: | 陆飞;盛志范 |
地址: | 20043*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 氧化物 作为 存储 介质 挥发 sram 及其 应用 | ||
【权利要求书】:
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于复旦大学,未经复旦大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710039404.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。