[发明专利]半导体器件阱的制造方法有效
| 申请号： | 200710043875.X | 申请日： | 2007-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN101350297A | 公开（公告）日： | 2009-01-21 |
| 发明（设计）人： | 程仁强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04;H01L21/266;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 2012*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件阱的制造方法，其特征在于，该制造方法包括如下步骤：
提供半导体衬底；
在半导体衬底上镀光刻胶，进行曝光步骤，进行显影步骤，形成第一离子注入窗口，且在半导体衬底上形成对准标记；
以上述对准标记为基准，进行套刻精度测试，合格后进行离子注入，在半导体衬底对应第一离子注入窗口处，形成第一阱区；
移除剩余光刻胶，重新镀光刻胶，进行曝光步骤，进行显影步骤，形成第二离子注入窗口，且上述对准标记被光刻胶覆盖；
透过光刻胶以该对准标记为基准，进行套刻精度测试，合格后进行离子注入，在半导体衬底对应第二离子注入窗口处，形成第二阱区。
2.如权利要求1所述的半导体器件阱的制造方法，其特征在于：每次所镀光刻胶的厚度相同。
3.如权利要求1所述的半导体器件阱的制造方法，其特征在于：所述半导体衬底为p型硅衬底，所述第一阱区是深n阱。
4.如权利要求1所述的半导体器件阱的制造方法，其特征在于：该制造方法还包括制造其他数个与第一阱区和第二阱区具有不同特性的阱区，且该数个阱区形成的离子注入过程中，上述对准标记均被光刻胶覆盖。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
