[发明专利]一种可改善微笑效应的沟槽隔离结构制作方法

权利要求书

1、一种可改善微笑效应的沟槽隔离结构制作方法，该沟槽隔离结构制作在硅衬底中，该方法包括以下步骤：(1)在该硅衬底上制作栅氧化层；(2)在该栅氧化层上制作多晶硅栅层；(3)在该多晶硅栅层上制作掩膜层；(4)在该掩模层上涂覆光阻并光刻出隔离沟槽图形；其特征在于，该方法还包括以下步骤：(5)依照该隔离沟槽图形进行刻蚀，且在刻蚀完栅氧化层时停止以形成一凹槽；(6)去除光阻并沉积一氧化阻挡层；(7)通过刻蚀在该凹槽侧壁上形成氧化阻挡层侧墙；(8)通过掩模层和氧化阻挡层的掩模刻蚀硅衬底以形成隔离沟槽；(9)填充该凹槽和隔离沟槽。

2、如权利要求1所述的可改善微笑效应的沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，该方法还包括步骤(10)通过化学机械抛光去除该掩模层。

3、如权利要求1所述的可改善微笑效应的沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，在步骤(6)中，该氧化阻挡层为氮化硅，其厚度范围为50至100埃。

4、如权利要求3所述的可改善微笑效应的沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，在步骤(6)中，通过低压化学气相沉积来沉积氮化硅。

5、如权利要求3所述的可改善微笑效应的沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，在步骤(7)中，通过等离子体干法刻蚀形成氮化硅侧墙。

6、如权利要求1所述的可改善微笑效应的沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，该沟槽隔离结构为闪存器件的浅沟槽隔离结构。

7、如权利要求1所述的可改善微笑效应的沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，在步骤(1)中，该栅氧化层的厚度范围为90至100埃。

8、如权利要求1所述的可改善微笑效应的沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，在步骤(2)中，该多晶硅栅层厚度范围为300至1000埃。

9、如权利要求1所述的可改善微笑效应的沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，在步骤(3)中，该掩膜层为氮化硅，其厚度范围为1000至2000埃。

10、如权利要求1所述的可改善微笑效应的沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，在步骤(9)中，使用氧化物来填充该凹槽和隔离沟槽。