[发明专利]新型光激发场寻址半导体传感器

权利要求书

1.一种新型光激发场寻址半导体传感器，依次包括p型Si衬底、衬底上的n^--Si外延层、二氧化硅栅氧层、Al栅极，在与二氧化硅栅氧层接触面附近的n^--Si外延层上设有两处磷掺杂，该磷掺杂通过欧姆接触与穿过二氧化硅栅氧层引线孔的电极引线连接，其特征是在与n^--Si外延层接触面附近的p型Si衬底的上表面附近设有掺硼的p⁺-Si层，在p型Si衬底上表面外周和n-Si外延层上部外周分别设有局部场氧化层，在二氧化硅栅氧层中部两个Al栅极之间设有多晶硅栅极，在p型Si衬底下表面的中部与多晶硅栅极对应位置直至掺硼的p⁺-Si层为腐蚀区，在腐蚀区底部设有敏感膜。