[发明专利]基于氮化铝缓冲层的硅基3C－碳化硅异质外延生长方法

权利要求书

1. 一种基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤1：将硅衬底进行氢气刻蚀处理；

步骤2：通入三甲基铝，进行硅衬底表面铺铝；

步骤3：不关断三甲基铝源，通入氨气，进行氮化铝缓冲层生长；

步骤4：缓冲层生长结束后，关闭氨气和三甲基铝，在氢气环境中降温至室温，关闭氢气，对生长系统抽真空；

步骤5：在氢气环境下升温，通入硅烷和乙烯，进行碳化硅层外延生长，完成异质外延生长。

2. 根据权利要求1所述的基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，其中硅衬底进行氢气刻蚀处理的温度为1100℃，氢气流量为5～20标准升/分钟，刻蚀时压力为40～100托。

3. 根据权利要求1所述的基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，其中三甲基铝的流量为5～20标准毫升/分钟，表面铺铝的时间为10～20秒。

4. 根据权利要求1所述的基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，其中氮化铝缓冲层生长时，三甲基铝的流量为5～20标准毫升/分钟，氨气的流量为960～1445标准毫升/分钟。

5. 根据权利要求1所述的基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，其中氮化铝缓冲层的生长时间为10～60分钟。

6. 根据权利要求1所述的基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，其中在氢气环境下降温至室温，关断氢气，分子泵对生长系统抽真空，时间为1.5～3小时。

7. 根据权利要求1所述的基于氮化铝缓冲层的硅基3C-碳化硅异质外延生长方法，其特征在于，其中碳化硅外延层的生长压力为40～100托，生长温度为1200～1350℃，乙烯流量为1.5～6标准毫升/分钟，硅烷流量为0.5～2标准毫升/分钟。