[发明专利]单分散银、硫化银及硒化银纳米晶的制备方法有效
| 申请号： | 200710073766.2 | 申请日： | 2007-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN101274751A | 公开（公告）日： | 2008-10-01 |
| 发明（设计）人： | 李亚栋;王定胜 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | C01B17/22 | 分类号： | C01B17/22;C01B19/04;B22F9/30 |
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| 地址： | 100084北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 分散 硫化 硒化银 纳米 制备 方法 | ||
1. 一种单分散银纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：将0.1克至1克的硝酸银放入10毫升的十八胺溶剂中反应1至10分钟；将反应沉淀物以乙醇洗涤后烘干，即得到单分散银纳米晶。
2. 如权利要求1所述的单分散银纳米晶的制备方法，其特征在于，单分散银纳米晶的粒径为6至12纳米。
3. 如权利要求1所述的单分散银纳米晶的制备方法，其特征在于，反应温度为160℃至300℃，烘干温度为40℃至80℃。
4. 一种单分散硫化银纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：将0.1克至1克的硝酸银放入10毫升的十八胺溶剂中反应1至10分钟；将硫粉放入上述反应体系后继续反应8至12分钟；将反应沉淀物以乙醇洗涤后烘干，即得到单分散硫化银纳米晶。
5. 如权利要求4所述的单分散硫化银纳米晶的制备方法，其特征在于，硫粉与硝酸银的摩尔比为1∶2。
6. 如权利要求4所述的单分散硫化银纳米晶的制备方法，其特征在于，单分散硫化银纳米晶的粒径为6至12纳米。
7. 如权利要求4所述的单分散银纳米晶的制备方法，其特征在于，反应温度为160℃至300℃，烘干温度为40℃至80℃。
8. 一种单分散硒化银纳米晶的制备方法，其包括以下步骤：将0.1克至1克的硝酸银放入10毫升的十八胺溶剂中反应1至10分钟；将硒粉放入上述反应体系后继续反应8至12分钟；将反应沉淀物以乙醇洗涤后烘干，即得到单分散硒化银纳米晶。
9. 如权利要求8所述的单分散硒化银纳米晶的制备方法，其特征在于，硒粉与硝酸银的摩尔比为1∶2。
10. 如权利要求8所述的单分散硒化银纳米晶的制备方法，其特征在于，单分散硒化银纳米晶的粒径为6至12纳米。
11. 如权利要求8所述的单分散银纳米晶的制备方法，其特征在于，反应温度为160℃至300℃，烘干温度为40℃至80℃。
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