[发明专利]MOSFET功率封装无效

专利信息
申请号: 200710089675.8 申请日: 2007-03-26
公开(公告)号: CN101064300A 公开(公告)日: 2007-10-31
发明(设计)人: 李文清;骆建仁;龚德梅 申请(专利权)人: 万国半导体股份有限公司
主分类号: H01L25/00 分类号: H01L25/00;H01L25/07;H01L23/488;H01L23/495
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 代理人: 张静洁
地址: 百慕大哈密尔*** 国省代码: 百慕大群岛;BM
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摘要:
搜索关键词: mosfet 功率 封装
【说明书】:

技术领域

发明一般地涉及一种MOSFET功率封装。更具体地,本发明涉及一种用于同步电压转换器(synchronous buck converter)的5-引线TO-252功率MOSFET封装。

背景技术

同步电压转换器在包括笔记本电脑在内的便携式电池供电的应用中占有较小的体积,但提供较高的性能。图2显示了一种常规的同步电压转换器,它通常以200表示。第一个N-通道增强型MOSFET 210与第二个N-通道增强型MOSFET 220以常规方式连接在一起,其中,第一个MOSFET 210的源极与第二个MOSFET 220的漏极相连。

尽管在图1和图1A所示常用漏极结构中的TO-252封装具有两个功率MOSFET,同步电压转换器200仍是用常规方式以周密安排的元件实现的,因为它需要大量的空间供印刷电路板(PCB)使用。正如图3所示,一个上桥MOSFET 300和一个下桥MOSFET 310表面安装在PCB上,并与包括电感器333在内的其它元件相连。

由于电子器件不断小型化,迫切要求更小尺寸的封装和最佳的器件引线布局,以便节省PCB空间。因此,在这技术领域,存在着将功率MOSFET封装应用于同步电压转换器的需要,使这种转换器的器件引线布局最佳化,而且PCB空间得到节省。同时,也存在着将5-引线TO-252功率MOSFET封装应用于同步电压转换器的需要。

发明内容

本发明提供了一种应用于同步电压转换器的5-引线TO-252功率MOSFET封装,使这种转换器的器件引线布局最佳化,而且PCB空间得到节省。

根据本发明的一个方面,功率MOSFET封装包括一个引线框架,其第一和第二模垫片相互绝缘,且第一模垫片与第一漏引线、第二模垫片与第二漏引线连接;第一MOSFET器件的漏接触与第一模垫片连接,栅接触与第一栅引线连接,源接触与第二模垫片连接;第二MOSFET器件的漏接触与第二模垫片连接,栅接触与第二栅引线连接,源接触与源引线连接;一种密封剂基本上将引线框架、第一和第二MOSFET器件、部分第一和第二栅引线、第一和第二漏引线以及源引线密封。

根据本发明的另一个方面,为同步电压转换器电路提供电源和同步转接的功率MOSFET封装包括一个引线框架,其第一和第二模垫片相互绝缘,且第一模垫片与第一漏引线、第二模垫片与第二漏引线连接。第一MOSFET器件的漏接触与第一模垫片连接,栅接触与第一栅引线连接,源接触与第二模垫片连接;第二MOSFET器件的漏接触与第二模垫片连接,栅接触与第二栅引线连接,源接触与源引线连接。一种密封剂基本上将引线框架、第一和第二MOSFET器件、部分第一和第二栅引线、第一和第二漏引线以及源引线密封。

本发明提供的应用于同步电压转换器的5-引线TO-252功率MOSFET封装,可使这种转换器的器件引线布局最佳化,而且PCB空间得到节省。

我们对本发明中比较重要的特征进行了简要的概述,以便能更好地理解下面的详细说明,也更加容易了解本发明对这一技术所做出的贡献。当然,下面还对本发明的其它一些特征进行了介绍。

连同以下附图和说明,能够更好地理解本发明的这些以及其它一些特征、方面和优点。

附图说明

图1是早期技术TO-252封装的引线框架的示意图;

图1A是早期技术TO-252封装的顶视图;

图2是一种同步电压转换器的电路图;

图3是早期技术同步电压转换器的PCB布局;

图4是根据本发明的同步电压转换器的PCB布局;

图5是根据本发明的TO-252封装引线框架的示意图;

图5A是根据本发明的TO-252封装的顶视图。

具体实施方式

本发明提供了一种应用于同步电压转换器的TO-252功率MOSFET封装。根据图5所示,TO-252封装引线框架500包括一对分别位于此处的MOSFET 515和525之上的漏极垫片510和520。在封装过程结束时连接部分505通过沿短划线A-A修剪后,漏极垫片510和520相互绝缘,MOSFET515和525优选分别焊接到漏极垫片510和520,或者是使用环氧树脂分别与漏极垫片510和520连接。

引线结合器530将MOSFET 515的源极与漏极垫片520连接,MOSFET515的栅极通过引线结合器517丝焊在栅引线G1上,MOSFET 525的源极通过引线结合器540丝焊在源引线S2上,引线D1与漏极垫片510连接,而引线D2/S1则与漏极垫片520连接。

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