[发明专利]金属层间通孔的制备和填充方法有效

专利信息
申请号: 200710094107.7 申请日: 2007-09-28
公开(公告)号: CN101399219A 公开(公告)日: 2009-04-01
发明(设计)人: 陈福成;朱骏 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L21/768 分类号: H01L21/768
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 代理人: 丁纪铁
地址: 201206上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 金属 层间通孔 制备 填充 方法
【权利要求书】:

1.一种金属层间通孔的制备和填充方法,其特征在于,包括如下步骤:

(1)下层金属刻蚀完成之后,淀积第一层金属间隔离电介质,第一 层金属间隔离电介质覆盖下层金属刻蚀时形成的台阶;

(2)用化学机械平坦化工艺去除所述下层金属上的金属间隔离电介 质;

(3)在去除了下层金属面上多余的隔离层电介质的表面再淀积另一 金属层,其材质为铝;

(4)在需要形成第一层金属和第二层金属的连通的位置,即第一层 通孔图形的位置,利用通孔的光刻板进行光刻曝光,在负性光刻胶曝光 后,曝光处的通孔图形的光刻胶残留,没有曝光的光刻胶被显影去除, 在第一层通孔图形处形成光刻胶保护层;

(5)刻蚀金属铝层,制备出铝塞,作通孔填充;

(6)形成金属铝塞通孔后淀积第二层金属间隔离电介质,厚度保证 能覆盖铝塞所形成的台阶;

(7)用化学机械平坦化工艺去除铝塞上的金属间隔离电介质。

2.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:所述的步骤(5)中金属 铝层的刻蚀工艺为干法刻蚀。

3.按照权利要求1所述的方法,其特征在于:所述金属铝层的淀积工 艺为溅射工艺。

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