[发明专利]集成电路、半导体装置及制备方法

权利要求书

1.一种方法，包括：

提供一衬底，包含一第一掺杂区，该第一掺杂区选自由一掺杂源极区及一掺杂漏极区所组成的族群；

提供一第一栅极结构，具有一上表面及一侧表面，该侧表面邻近该第一栅极结构的该上表面并往该第一掺杂区向下延伸；

提供一第二栅极结构，具有一上表面及多个侧表面，所述侧表面邻近该第二栅极结构的该上表面并往该第一掺杂区向下延伸；

沉积一第一层，覆盖该第一栅极结构的该上表面、该第一栅极结构的该侧表面、该第一掺杂区、该第二栅极结构的该侧表面、以及该第二栅极结构的该上表面，以形成一开口；

于该开口处沉积一第二材料，覆盖该第一掺杂区，该第二材料定义一接触蚀刻区；

提供一第三材料，覆盖该第一栅极结构及该第二栅极结构的该上表面，惟未覆盖该第一掺杂区；以及

自该开口处移除该第二材料。

2.如权利要求1所述的方法，其中该提供该第三材料以覆盖该第一栅极结构及该第二栅极结构的该上表面、惟未覆盖该第一掺杂区的步骤包含沉积该第三材料的一层，覆盖该第一栅极结构的该上表面、该第二材料及该第二栅极结构的该上表面，以及移除覆盖该第二材料的该第三材料。

3.如权利要求1所述的方法，更包含沉积一电介质进入该开口，并覆盖该第一栅极结构及该第二栅极结构的该上表面。

4.如权利要求3所述的方法，更包含蚀刻部分该电介质至接近该第一掺杂区的高度，以形成一开口。

5.如权利要求4所述的方法，更包含沉积一接触材料进入该开口。

6.如权利要求5所述的方法，更包含于沉积该接触材料进入该开口的步骤前，移除形成于该第一掺杂区上的接触停止材料。

7.如权利要求1所述的方法，其中该第一掺杂区包含一掺杂硅部分，邻近一硅化物接触区。

8.如权利要求1所述的方法，其中该第一栅极结构包含一多晶硅栅极部分，邻近一硅化物接触区。

9.一种集成电路，包括：

一或多个栅极结构，各该栅极结构包含至少一导电栅极；

一第一掺杂区，其选自一掺杂源极区及一掺杂漏极区，该第一掺杂区邻近该一或多个栅极结构中的至少一者的一侧壁；

一第一电介质，覆盖各该栅极结构；

一第一层，覆盖各该栅极结构的一上表面，该第一层通过该第一电介质与各该导电栅极隔离，该第一层具有一开口穿越其中，其中该开口覆盖该第一掺杂区，且其中该第一电介质实质向下延伸至该开口的侧边部分；以及

一第一导电接触，具有至少一部分延伸进入该开口，该接触于该开口的一底部区电连接该第一掺杂区，该接触通过该第一电介质与邻近该接触的各栅极结构的各导电栅极绝缘。

10.如权利要求9所述的集成电路，其中各该栅极结构包含金属硅化物。

11.如权利要求9所述的集成电路，更包含一第二掺杂区，其选自一掺杂源极区及一掺杂漏极区，其中该第一层覆盖该第二掺杂区。

12.如权利要求9所述的集成电路，其中该第一电介质包含硅。

13.如权利要求9所述的集成电路，其中该接触使用一蚀刻剂以蚀穿另一材料而成，相对于该第一电介质，该蚀刻剂对该另一材料较具蚀刻性。

14.如权利要求9所述的集成电路，其中该栅极结构包含以一绝缘材料隔离的一第一导电栅极及一第二导电栅极。

15.如权利要求9所述的集成电路，其中该掺杂区包含N+掺杂漏极区。