[发明专利]一种制备铟柱的方法

权利要求书

1.一种制备铟柱的方法，包括工艺流程为芯片处理、前烘、涂胶、对位、曝光、显影、坚膜的正性胶光刻工艺以及工艺流程为芯片处理、装片、抽真空、蒸发、取片、剥离的电子束蒸发铟膜和微超声剥离技术，其特征在于：在进行正性胶光刻工艺涂胶工序时，在正性胶涂层中间制备一层金属膜或者其它介质膜，使涂层成为“正性胶厚层-介质或金属膜-正性胶薄层”的结构；然后将上层的薄胶光刻成图形，腐蚀掉图形窗口内的介质或金属膜，再将底层的厚胶通过显影方法去除干净；然后采用电子束蒸发铟膜，并采用铟膜微超声波剥离技术对铟膜进行剥离。

2.根据权利要求1所述的一种制备铟柱的方法，其特征在于所述涂胶的方法为第一层涂覆工艺要求厚度的正性胶，第二层涂覆厚度为80～200纳米介质或金属膜，第三层涂覆厚度为400～1000纳米的正性胶。

3.根据权利要求1或者2所述的一种制备铟柱的方法，其特征在于所述介质或者金属为不与显影液反应、且具有一定延展性的介质或者金属；其中介质为氮化硅、二氧化硅的其中一种；金属膜为钛、铂、金的其中一种或几种的混合。

4.根据权利要求1所述的一种制备铟柱的方法，其特征在于所述电子束蒸发铟膜所用设备为晶振控制仪和电子束蒸发台，芯片固定在行星旋转夹具上，蒸发源到芯片的蒸发距离大于30厘米，保证了蒸发的垂直性和均匀性；采用高真空蒸发，在将铟柱图形内的第二层胶去除干净，蒸发结束后继续将真空抽至10-5Pa时关高真空阀；并采用铟膜微超声剥离技术对铟膜进行剥离。

5.根据权利要求4所述的一种制备铟柱的方法，其特征在于所述微超声剥离技术的具体方法是将蒸发好的芯片放入已加热的丙酮溶液里，浸泡30～60秒，待光刻胶膨胀而未完全溶解时，将芯片用小功率超声波振动8～12秒，使铟膜产生裂纹，而后用水将多余的金属铟冲去。