[发明专利]像素结构的制作方法

权利要求书

1.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一栅极于该基板上；

形成一栅介电层于该基板上，以覆盖该栅极；

形成一通道层于该栅极上方的该栅介电层上；

形成一源极以及一漏极于该栅极两侧的该通道层上，其中该栅极、该通道层、该源极以及该漏极构成一薄膜晶体管；

形成一保护层于该栅介电层与该薄膜晶体管上；

提供一第一屏蔽于该保护层上方，且该第一屏蔽暴露出部分该保护层；

使用激光经由该第一屏蔽照射该保护层，以剥离所暴露出的部分该保护层，形成一暴露出该漏极的图案化保护层；以及

形成一导电层，以覆盖该图案化保护层与暴露的该漏极，并且通过该图案化保护层使该导电层图案化，以形成一像素电极。

2.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，还包括在使用激光照射该保护层之后，烘烤该图案化保护层，以使该图案化保护层具有一蕈状的顶表面。

3.根据权利要求2所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该图案化保护层的该蕈状的顶表面略大于该图案化保护层的底表面。

4.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，还包括在形成该导电层之后，移除该图案化保护层。

5.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成该栅极的方法包括：

形成一第一金属层于该基板上；以及

图案化该第一金属层，以形成该栅极。

6.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成该栅极的方法包括：

形成一第一金属层于该基板上；

提供一第二屏蔽于该第一金属层上方，且该第二屏蔽暴露出部分的该第一金属层；以及

使用激光经由该第二屏蔽照射该第一金属层，以移除该第二屏蔽所暴露的部分该第一金属层。

7.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成该通道层的方法包括：

形成一半导体层于该基板上；以及

图案化该半导体层，以形成该通道层。

8.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成该通道层的方法包括：

形成一半导体层于该基板上；

提供一第三屏蔽于该半导体层上方，且该第三屏蔽暴露出部分的该半导体层；以及

使用激光经由该第三屏蔽照射该半导体层，以移除该第三屏蔽所暴露的部分该半导体层。

9.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成该源极以及该漏极的方法包括：

形成一第二金属层于该通道层与该栅介电层上；以及

图案化该第二金属层，以形成该源极以及该漏极。

10.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，形成该导电层的方法包括通过溅镀形成一铟锡氧化物层或一铟锌氧化物层。

11.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该激光的能量介于10至500mJ/cm²之间。

12.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，该激光的波长介于100nm至400nm之间。

13.根据权利要求1所述的像素结构的制作方法，其特征在于，还包括在形成该栅极的同时形成一下层电容电极，而在形成该源极以及漏极的同时形成一上层电容电极，其中该下层电容电极与该上层电容电极构成一储存电容器。

14.一种像素结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板；

形成一薄膜晶体管于该基板上；

形成一保护层于该薄膜晶体管上；

提供一第一屏蔽于该保护层上方，且该第一屏蔽暴露出部分的该保护层；

使用激光经由该第一屏蔽照射该保护层，以剥离所暴露出的部分该保护层，形成一暴露出该漏极的图案化保护层；

形成一导电层，以覆盖该图案化保护层与暴露的该漏极，并且通过该图案化保护层使该导电层图案化，以形成一像素电极。