[发明专利]制造p－型Ⅲ族氮化物半导体的方法和制造其电极的方法

权利要求书

1.一种用于制造p-型III族氮化物半导体的方法，所述方法包括在至少含有氨的气氛中使Mg热扩散到III族氮化物半导体层中，从而活化Mg并形成p-型III族氮化物半导体层。

2.一种用于制造p-型III族氮化物半导体的方法，所述方法包括：

在III族氮化物半导体层的表面上的预定区域中形成Mg膜；

在所述Mg膜上形成熔点高于下述热处理的温度的金属膜；和

在至少含有氨的气氛中实施所述热处理。

3.一种用于制造p-型III族氮化物半导体的方法，所述方法还包括：

在所述实施所述热处理后，移除所述Mg膜和所述金属膜。

4.根据权利要求1所述的用于制造p-型III族氮化物半导体的方法，其中所述III族氮化物半导体层由本征或n-型III族氮化物半导体形成。

5.根据权利要求2所述的用于制造p-型III族氮化物半导体的方法，其中所述III族氮化物半导体层由本征或n-型III族氮化物半导体形成。

6.根据权利要求3所述的用于制造p-型III族氮化物半导体的方法，其中所述III族氮化物半导体层由本征或n-型III族氮化物半导体形成。

7.根据权利要求3所述的用于制造p-型III族氮化物半导体的方法，其还包括在移除所述Mg膜和所述金属膜之后，在主要含有氮的气氛中实施热处理。

8.根据权利要求6所述的用于制造p-型III族氮化物半导体的方法，其还包括在移除所述Mg膜和所述金属膜之后，在主要含有氮的气氛中实施热处理。

9.根据权利要求2所述的用于制造p-型III族氮化物半导体的方法，其中通过剥离过程来实施所述Mg膜的形成和所述金属膜在所述Mg膜上的形成。

10.根据权利要求3所述的用于制造p-型III族氮化物半导体的方法，其中通过剥离过程来实施所述Mg膜的形成和所述金属膜在所述Mg膜上的形成。

11.一种用于制造p-型III族氮化物半导体电极的方法，所述方法包括：

在III族氮化物半导体层表面上的预定区域中形成Mg膜；

在所述Mg膜上形成电极膜；和

在至少含有氨的气氛中实施热处理。

12.根据权利要求11所述的用于制造p-型III族氮化物半导体电极的方法，其还包括在所述热处理后，在主要含有氮的气氛中实施附加的热处理。

13.根据权利要求11所述的用于制造p-型III族氮化物半导体电极的方法，其还包括在所述热处理后，移除所述Mg膜和所述电极膜，并在所述p-型III族氮化物半导体层的暴露表面上形成第二电极膜。

14.根据权利要求11所述的用于制造p-型III族氮化物半导体电极的方法，其还包括在所述热处理后，移除所述Mg膜和所述电极膜，之后在主要含有氮的气氛中实施附加的热处理，并在所述p-型III族氮化物半导体层的暴露表面上形成第二电极膜。

15.根据权利要求11所述的用于制造p-型III族氮化物半导体电极的方法，其还包括在所述热处理后，移除所述Mg膜和所述电极膜，之后在所述p-型III族氮化物半导体层的暴露表面上形成第二电极膜，并在主要含有氮的气氛中实施附加的热处理。