[发明专利]反射式带通滤波器无效
申请号: | 200710151331.5 | 申请日: | 2007-09-25 |
公开(公告)号: | CN101165965A | 公开(公告)日: | 2008-04-23 |
发明(设计)人: | 官宁 | 申请(专利权)人: | 株式会社藤仓 |
主分类号: | H01P1/203 | 分类号: | H01P1/203 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人: | 雒运朴;李伟 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 反射 带通滤波器 | ||
1.一种反射式带通滤波器,用于超宽带无线信息通信,在叠层有导体层和电介质层的基板的该电介质层上,设置了由具有不均匀宽度的导体形成的微带线,其特征在于,
以如下方式设定上述微带线的宽度的长度方向分布,即,在频率f为f<3.1GHz和f>10.6GHz的区域内的反射率,与3.7GHz≤f≤10.0GHz的区域内的反射率之间的差值的绝对值为10dB以上,在3.7GHz≤f≤10.0GHz的区域内,群延迟的变化为±0.2ns以内。
2.一种反射式带通滤波器,用于超宽带无线信息通信,在叠层有导体层和电介质层的基板的该电介质层上,设置了由具有不均匀宽度的导体形成的微带线,其特征在于,
以如下方式设定上述微带线的宽度的长度方向分布,即,在频率f为f<3.1GHz和f>10.6GHz的区域内的反射率,与4.0GHz≤f≤9.8GHz的区域内的反射率之间的差值的绝对值为10dB以上,在4.0GHz≤f≤9.8GHz的区域内,群延迟的变化为±0.1ns以内。
3.一种反射式带通滤波器,用于超宽带无线信息通信,在叠层有导体层和电介质层的基板的该电介质层上,设置了由具有不均匀宽度的导体形成的微带线,其特征在于,
以如下方式设定上述微带线的宽度的长度方向分布,即,在频率f为f<3.1GHz和f>10.6GHz的区域内的反射率,与3.5GHz≤f≤10.1GHz的区域内的反射率之间的差值的绝对值为10dB以上,在3.5GHz≤f≤10.1GHz的区域内,群延迟的变化为±0.2ns以内。
4.一种反射式带通滤波器,用于超宽带无线信息通信,在叠层有导体层和电介质层的基板的该电介质层上,设置了由具有不均匀宽度的导体形成的微带线,其特征在于,
以如下方式设定上述微带线的宽度的长度方向分布,即,在频率f为f<3.1GHz和f>10.6GHz区域内的反射率,与4.0GHz≤f≤9.6GHz的区域内的反射率之间的差值的绝对值为10dB以上,在4.0GHz≤f≤9.6GHz的区域内,群延迟的变化为±0.07ns以内。
5.一种反射式带通滤波器,用于超宽带无线信息通信,在叠层有导体层和电介质层的基板的该电介质层上,设置了由具有不均匀宽度的导体形成的微带线,其特征在于,
以如下方式设定上述微带线的宽度的长度方向分布,即,在频率f为f<3.1GHz和f>10.6GHz的区域内的反射率,与4.2GHz≤f≤9.5GHz的区域内的反射率之间的差值的绝对值为10dB以上,在4.2GHz≤f≤9.5GHz的区域内,群延迟的变化为±0.2ns以内。
6.根据权利要求1~5的任一项所述的反射式带通滤波器,其特征在于,
输入端传输线路的特性阻抗Zc为10Ω≤Zc≤200Ω。
7.根据权利要求6所述的反射式带通滤波器,其特征在于,在终端侧设置具有与上述特性阻抗相同值的电阻或无反射终端。
8.根据权利要求1~5任一项所述的反射式带通滤波器,其特征在于,
上述基板的导体层和微带线的导体由金属板形成,且该金属板具有f=1GHz时的集肤深度以上的厚度。
9.根据权利要求1~5任一项所述的反射式带通滤波器,其特征在于,
上述基板的电介质层,厚度h为0.5mm≤h≤5mm,介电常数εr为1≤εr≤200,宽度W为2mm≤W≤100mm,长度L为2mm≤L≤300mm。
10.根据权利要求1~5任一项所述的反射式带通滤波器,其特征在于,
使用基于Zakharov-Shabat方程式的根据频谱数据导出电位的逆问题的设计法,设定上述微带线的宽度的长度方向分布。
11.根据权利要求1~5任一项所述的反射式带通滤波器,其特征在于,
使用窗函数法来设定上述微带线的宽度的长度方向分布。
12.根据权利要求1~5任一项所述的反射式带通滤波器,其特征在于,
使用Kaiser窗函数法来设定上述微带线的宽度的长度方向分布。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社藤仓,未经株式会社藤仓许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710151331.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:形成用于CMOS器件的应变Si的方法和结构
- 下一篇:颜料制剂