[发明专利]在半导体器件中制造电容器的方法

权利要求书

1.一种用于在半导体器件中形成电容器的方法，其包括：

在半导体基板上方形成储存节点电极；

在该储存节点电极上形成具有高介电常数的介电层；

在该介电层上沉积板状电极，由此形成副产物杂质；和

当在该板状电极上沉积顶盖层时，通过将含氢原子气体导入到该半导体基板上，除去残留在该板状电极上的该副产物杂质。

2.如权利要求1的方法，其中该板状电极包括一种材料，该材料从TiN、Ru、WN和AlN及其组合物组成的组中选出。

3.如权利要求1的方法，其中该介电层包括一种材料，该材料从HfO₂、Al₂O₃、ZrO₂、TiO₂、Ta₂O₅、BaSrTiO₃和PbZrTiO及其组合物组成的组中选出。

4.如权利要求1的方法，其中高台阶覆盖工艺、序列流沉积或原子层沉积用以形成该板状电极。

5.如权利要求1的方法，其中除去该副产物杂质的步骤包括：

在低压下将该半导体基板加载到炉中；

将该含氢原子气体导入该炉内；和

在400℃至600℃的温度下对该半导体基板进行退火。

6.如权利要求1的方法，其中该顶盖层包括多晶硅层或硅锗层。

7.如权利要求5的方法，其中该含氢原子气体包括一种气体，该气体由PH₃、H₂及其组合物组成的组中选出。

8.如权利要求1的方法，包括原处将该含氢原子气体导入该炉内，由此防止氢和空气中的氧之间产生反应而形成TiON。

9.一种用于在半导体器件中形成电容器的方法，其包括：

在半导体基板的层间介电层上方形成储存节点电极；

在该储存节点电极上形成具有高介电常数的介电层；

供应钛原料和氮原料给该介电层，以在该介电层上沉积TiN层，由此形成副产物杂质；和

当在该TiN层上沉积顶盖层时，通过将含氢原子气体导入到该半导体基板上，除去残留在该储存节点电极上的该副产物杂质。

10.如权利要求9的方法，其中在层间介电层上形成储存节点电极的步骤包括：

在该层间介电层中形成接触插栓；

在该接触插栓及该层间介电层上方形成储存节点绝缘层；

在该储存节点介电层中形成储存节点接触孔；

在该储存节点接触孔上形成储存节点金属层；

将该储存节点金属层与该接触插栓相邻的界面区域转换成金属硅化物层；和

对该储存节点金属层进行节点分离，由此形成该储存节点电极。

11.如权利要求9的方法，其中该储存节点电极包括一种材料，该材料由TiN、Ru、WN、AlN及其组合物组成的组中选出。

12.如权利要求9的方法，其中该钛原料包括四氯化钛。

13.如权利要求9的方法，其中该介电层包括一种材料，该材料由HfO₂、Al₂O₃、ZrO₂、TiO₂、Ta₂O₅、BaSrTiO₃、PbZrTiO及其组合物组成的组中选出。

14.如权利要求9的方法，包括进行高台阶覆盖工艺、序列流沉积或原子层沉积，以形成该储存节点电极。

15.如权利要求9的方法，其中除去该副产物杂质的步骤包括：

在低压下将该半导体基板加载到炉中；

将该含氢原子气体导入该炉内；和

在400℃至600℃的温度下对该半导体基板进行退火。

16.如权利要求9的方法，其中该顶盖层包括多晶硅层或硅锗层。

17.如权利要求15的方法，其中该含氢原子气体包括一种气体，该气体由PH₃、H₂及其组合物组成的组中选出。

18.如权利要求9的方法，包括在原处将该含氢原子气体导入该炉内，由此防止氢和空气中的氧之间产生反应而形成TiON。