[发明专利]电路化衬底，其制造方法及衬底结构和信息处理系统

权利要求书

1.一种电路化衬底，其包括：

复合介电层，其包括包含多种具有低热膨胀系数的纤维以及不含卤素的树脂的第一介电子层，以及由低吸水率树脂和一定量的无机微粒构成的第二介电子层，所述第二介电子层不包含连续或半连续纤维或其类似物作为其部分；以及

至少一个电路化层，其安置于所述复合介电层上。

2.根据权利要求1所述的电路化衬底，其中所述复合介电层的所述第二介电子层的所述低吸水率树脂包括高Tg热固性聚合物且也不含卤素。

3.根据权利要求2所述的电路化衬底，其中当在约22℃的温度下浸渍于水中历时约24小时的时期时，所述复合介电层的所述第二介电子层的所述低吸水率树脂具有小于约0.50％的吸水率。

4.根据权利要求1所述的电路化衬底，其中所述第二介电子层的所述量的无机微粒是由二氧化硅构成。

5.根据权利要求4所述的电路化衬底，其中所述微粒的粒径小于15微米。

6.根据权利要求1所述的电路化衬底，其中所述复合介电层的所述第一介电子层的所述不含卤素的树脂也为低吸水率树脂。

7.根据权利要求6所述的电路化衬底，其中所述复合介电层的所述第一介电子层的所述低吸水率树脂包括高Tg热固性聚合物。

8.根据权利要求1所述的电路化衬底，其中所述复合介电层的所述第一介电子层在x和y方向上具有小于约17ppm/℃的热膨胀系数。

9.根据权利要求1所述的电路化衬底，其中具有低热膨胀系数的所述第一介电子层的所述多种纤维为呈不光滑形式的对芳族聚酰胺纤维。

10.根据权利要求9所述的电路化衬底，其中呈所述不光滑形式的所述对芳族聚酰胺纤维具有约3.4的介电常数。

11.根据权利要求1所述的电路化衬底，其中所述复合介电层的所述第一与第二介电子层于其中各包含多个通孔，所述电路化衬底的厚度与每一所述通孔的直径的纵横比在约2∶1至约20∶1的范围内。

12.根据权利要求1所述的电路化衬底，其中所述至少一个电路化层由铜构成。

13.根据权利要求1所述的电路化衬底，其进一步包含在相对于所述至少一个电路化层的一侧上安置于所述复合介电层上的第二电路化层。

14.根据权利要求13所述的电路化衬底，其进一步包含分别安置于所述至少一个电路化层与所述第二电路化层上的第二与第三介电层，且第三与第四电路化层分别形成于所述第二与第三介电层上。

15.一种制造电路化衬底的方法，所述方法包括：

提供复合介电层，所述复合介电层包括包含多种具有低热膨胀系数的纤维以及不含卤素的树脂的第一介电子层，以及由低吸水率树脂和一定量的无机微粒构成的第二介电子层，所述第二介电子层不包含连续或半连续纤维或其类似物作为其部分；以及

在所述复合介电层上提供至少一个电路化层。

16.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括在所述第一与第二介电子层中提供多个通孔，其各具有在约2∶1至约20∶1的范围内的所述电路化衬底的所述复合层的厚度与所述通孔的直径的纵横比。

17.根据权利要求16所述的方法，其中使用激光器于所述第一与第二子层内提供所述多个通孔的所述每一者。

18.根据权利要求15所述的方法，其中所述第一与第二介电子层被层压在一起。

19.根据权利要求15所述的方法，其进一步包括在所述复合介电层的相对侧上分别提供第二与第三介电层，且第二与第三电路化层分别形成于所述第二与第三介电层上。

20.根据权利要求19所述的方法，其进一步包含将至少一个电组件与所述第二电路化层或所述第三电路化层电耦合。