[发明专利]等离子体生成装置、等离子体控制方法和基板制造方法有效
申请号: | 200710162401.7 | 申请日: | 2003-12-12 |
公开(公告)号: | CN101128083A | 公开(公告)日: | 2008-02-20 |
发明(设计)人: | 三宅正司;江部明宪;庄司多津男;节原裕一 | 申请(专利权)人: | 独立行政法人科学技术振兴机构;三宅正司;江部明宪 |
主分类号: | H05H1/46 | 分类号: | H05H1/46;H01L21/306;H01L21/205;C23C14/54 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 刘建 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 生成 装置 控制 方法 制造 | ||
1.一种等离子体生成装置,其特征在于:具备
a)真空容器;
b)设置在所述真空容器内、装载被处理基板的基板台;和
c)在所述真空容器内、大致平行地排列在所述基板台上的多个高频天线,其中,
在所述天线上连接阻抗元件。
2.根据权利要求1所述的等离子体生成装置,其特征在于:
将所述天线排列在真空容器的侧壁、或天井壁、或这两者上。
3.根据权利要求1所述的等离子体生成装置,其特征在于:
将多个天线并联连接于1个高频电源上。
4.根据权利要求1所述的等离子体生成装置,其特征在于:
将1个天线连接于1个高频电源上。
5.根据权利要求1所述的等离子体生成装置,其特征在于:
所述阻抗元件的阻抗是可变的。
6.根据权利要求5所述的等离子体生成装置,其特征在于:
所述阻抗元件是可变阻抗线圈。
7.根据权利要求5所述的等离子体生成装置,其特征在于:
具备:测定各个天线的电压或电流的测定部、和利用该测定部得到的电压或电流值来设定所述可变阻抗值的控制部。
8.根据权利要求7所述的等离子体生成装置,其特征在于:
所述测定部具备配置在天线附近、检测该天线电流的拾取线圈。
9.根据权利要求7所述的等离子体生成装置,其特征在于:
所述测定部具备配置在天线附近、检测施加于该天线上的电压的电容器。
10.根据权利要求7所述的等离子体生成装置,其特征在于:
所述测定部具备:将检测到的高频电流或电压信号变换成直流电流或电压信号的桥接电路或检波器。
11.根据权利要求7所述的等离子体生成装置,其特征在于:
所述测定部具备:合成天线的电流信号与电压信号的信号合成器、和去除所述合成信号的高频分量的低通滤波器。
12.根据权利要求1所述的等离子体生成装置,其特征在于:
所述天线表面被绝缘体所覆盖。
13.根据权利要求1所述的等离子体生成装置,其特征在于:
所述天线在真空容器内的形状为平面形。
14.根据权利要求1所述的等离子体生成装置,其特征在于:
将所述多条天线各自分成由1个或多个天线构成的多个组,就各个组而言,向各个天线并联提供高频功率。
15.一种等离子体控制方法,其特征在于,对于具备在真空容器内、从真空容器的侧壁或天井壁、或这两者、大致平行于装载被处理基板的基板台排列的多个高频天线的等离子体生成装置,通过调整提供给所述天线的高频功率,控制在真空容器内形成的等离子体的状态,在各个天线上连接阻抗元件,通过连接阻抗元件并调节各阻抗元件的阻抗值,控制该真空容器内的等离子体密度分布。
16.根据权利要求15所述的等离子体控制方法,其特征在于:
所述阻抗元件的阻抗值是可变的,测定各个高频天线的电压、电流或这两者,利用得到的电压、电流或它们的积值来控制该可变阻抗值。
17.一种基板制造方法,其特征在于:
通过权利要求1-14任一项所述的等离子体生成装置或权利要求15或16所述的等离子体控制方法,生成原料的等离子体,并使该原料堆积。
18.一种基板制造方法,其特征在于:
使用通过权利要求1-14任一项所述的等离子体生成装置或权利要求15或16所述的等离子体控制方法所生成的等离子体,实行蚀刻处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于独立行政法人科学技术振兴机构;三宅正司;江部明宪,未经独立行政法人科学技术振兴机构;三宅正司;江部明宪许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200710162401.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:高压清洁器
- 下一篇:高压缩多层RIM的高尔夫球