[发明专利]在适用于太阳能电池应用的激光划线透明导电氧化层上沉积硅层的方法

权利要求书

1.一种用于在透明导电氧化物层上沉积硅层的方法，包括：

提供其上设置有透明导电氧化物层的基板，其中该透明导电氧化物层具有外围区域和电池集成区域，该电池集成区域具有其上设置的激光划线图案；

将该基板放置在设置在处理室内的基板支架组件上，其中该基板支架组件具有与该基板接触的粗糙表面；

使阴影框架与该透明导电氧化物层外围区域及该基板支架组件接触，由此通过该阴影框架在该透明导电氧化物层和该基板支架之间产生电接地通路；

通过该阴影框架的孔在该透明导电氧化物层上沉积含硅层。

2.如权利要求1所述的方法，其中基板上透明导电氧化物层的外围区域从该基板边缘测量的宽度在大约10mm和大约30mm之间，其中该外围区域没有划线图案。

3.如权利要求1所述的方法，其中该基板支架组件的粗糙表面的粗糙度在大约100微英寸和3000微英寸之间。

4.如权利要求1所述的方法，其中该阴影框架由铝或铝合金制成，其中基板支架组件具有阳极化层。

5.如权利要求1所述的方法，其中将该透明导电氧化物层与该阴影框架接触还包括：

将该阴影框架的一部分放置在该基板支架组件的粗糙表面之上，其中该阴影框架的孔的开口面积小于该粗糙表面的面积。

6.一种用于在PECVD室中使用的基板支架组件，包括：

一种具有上基板支架表面的铝加热器体，该上基板支架表面具有由外围区域围绕的内部区域，其中至少该上基板支架表面的该内部区域的表面粗糙度在大约100微英寸和大约3000微英寸之间。

7.如权利要求6所述的基板支架组件，其中还包括：

一种与外围区域接触设置的导电阴影框架。

8.如权利要求7所述的基板支架组件，其中阴影框架还包括：

一种与上基板支架表面的外围区域接触设置的第一裸露铝表面；

一种平行于该第一裸露铝表面设置的第二裸露铝表面，选择该第一和第二裸露铝表面的间距，以当该第二裸露铝表面与设置在该上基板支架表面上的适用于太阳能电池制备的基板接触时保持该第一裸露铝表面与该上基板支架的该外围区域之间的接触。

9.如权利要求8所述的基板支架组件，其中外围区域的宽度大于大约10mm，该外围区域的表面粗糙度小于内部区域的表面粗糙度；以及

其中该阴影框架还包括：

一种开口面积小于上基板支架表面的内部区域的面积的孔。

10.一种用于在PECVD室中使用的基板支架组件，包括：

一种接地基板支架组件，其具有用于在该接地支架组件上接收多边形大面积基板的粗糙上表面，该上表面具有由外围区域围绕的内部区域，其中至少该上表面的该内部区域的表面粗糙度在大约100微英寸和大约3000微英寸之间，该外围区域的表面粗糙度小于该内部区域的表面粗糙度；

一种设置在该基板支架组件的该外围区域上的导电阴影框架，该阴影框架具有平行于第二裸露铝表面设置的第一裸露铝表面，选择该第一和第二裸露铝表面的间距，以当该第二裸露铝表面与设置在该上基板支架表面上的基板接触时保持该第一裸露铝表面与该上基板支架的该外围区域之间的接触。

11.一种用于在透明导电氧化物层上沉积硅层的方法，包括：

激光划线设置在用于太阳能应用的基板上的透明导电氧化物层的电池集成区域，该透明导电氧化物层具有在该电池集成区域之外的无激光划线外围区域，该外围区域从基板的边缘测量的宽度在大约10mm和大约30mm之间；

将该划线基板传送到沉积室中；以及

在该沉积室中将含硅层沉积到该透明导电氧化物层上。

12.如权利要求11所述的方法，其中激光划线还包括：

形成具有平行片段的刻划线，该平行片段的分隔间距在大约5微米到大约45微米之间。

13.如权利要求11所述的方法，其中将划线基板传送到沉积室中还包括：

将该基板放置在设置在沉积室中的基板支架组件的支架表面上，该支架表面在横贯与该基板接触的整个表面上的表面粗糙度在大约100微英寸和大约3000微英寸之间。