[发明专利]自动自适应装置及形成该装置的方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

耦合的电流传感器，所述电流传感器具有第一连接(sen)节点和第二连接节点，在所述第一连接节点处感测泄漏电流，在所述第二连接节点处生成补偿使能信号以启动经由保持器系统的所述泄漏电流的补偿；

其中所述电流传感器对所述感测的泄漏电流进行放大，以生成所述补偿使能信号，所述补偿使能信号的幅度激活用于补偿所述感测的泄漏电流量所需要的特定量的补偿电流。

2.根据权利要求1所述的装置，进一步包括：

负载电路，所述负载电路在有线输出通路上发射负载泄漏电流；

在线保持器，所述在线保持器在所述有线输出通路上耦合至内部储存器/存储器泄漏节点，并且具有耦合到所述电流传感器的第二连接节点的控制输入点以接收所述补偿使能信号；

其中所述在线保持器基于所述补偿使能信号的幅度来生成所述补偿电流；

其中生成的所述补偿电流提供了所述负载泄漏电流的动态在线(实时)补偿。

3.根据权利要求2所述的装置，进一步包括与所述负载电路类似地进行配置的伪电路，所述伪电路生成与所述负载电路基本相同的泄漏电流量，其中所述伪电路的输出耦合到所述电流传感器的第一连接器，这使得电流传感器能够感测所述伪电路中的泄漏电流量并调节在所述在线保持器的所述控制输入处生成的所述补偿使能信号的幅度。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述电流传感器包括：

多个晶体管，其包括第一PFET M7、第二PFET M8和第三PFETM9，以及第一NFET M10和第二NFET M11；以及

sen节点和cntrl节点，其中所述sen节点是所述第一连接节点，所述cntrl节点是所述第二连接节点，这些节点使得所述电流传感器能够分别耦合到所述伪单元和所述在线保持器。

5.根据权利要求4所述的装置，其中所述多个晶体管如下进行互连：

所述第一PFET M7、第二PFET M8和第三PFET M9各自的源极端子耦合到公共高电压节点；

所述第一PFET M7和第二PFET M8各自的栅极端子在公共栅极节点处彼此连接，所述栅极节点还耦合至所述第一PFET M7的漏极端子；

所述第一PFET M7的漏极端子连接至所述内部储存器/存储器节点；

所述第二PFET M8的栅极端子在感测节点处连接至所述第二NFET M 11的源极端子以及连接至所述第三PFET M9 424和所述第一NFET M10的所述栅极端子；

所述第三PFET M9在其漏极端子处耦合到所述第一NFET M10的源极端子；以及

所述第一NFET M10的所述漏极端子与所述第二NFET M11的所述漏极端子耦合至公共接地节点，所述第二NFET M11的所述栅极耦合至所述高电压节点。

6.根据权利要求5所述的装置，进一步包括：

电流泄漏源，所述电流泄漏源产生与负载电路生成的泄漏电流匹配的泄漏电流；

保持器晶体管(PFET)M1，所述保持器晶体管跨过第一PFET M7并行耦合，使得所述保持器晶体管M1也将其源极端子连接至公共高电压节点并将其漏极端子在内部存储器节点处连接至所述PFETM7的漏极端子；以及

其中，所述保持器晶体管M1生成补偿电流，所述补偿电流经过所述内部存储器节点传送到所述电流泄漏源。

7.根据权利要求6所述的装置，其中：

所述电流传感器进一步提供了ctrl节点，所述ctrl节点是在第三PFET M9和第一NFET M10的所述漏极端子之间的连接点，其中所述ctrl节点是在所述电流传感器和一个或更多保持器晶体管的栅极端子之间的连接性的点；以及

其中泄漏电流的电平动态改变，以提供来自利用所述电流传感器增强的在线保持器系统的确定性响应。

8.根据权利要求1所述的装置，其中所述装置为在IC晶片上的集成电路(IC)制造品。

9.根据权利要求1所述的装置，其中所述电流传感器是配置有sen连接器和cntl连接器的独立电路，以使得在所述装置的制造之后所述电流传感器能够经由各自的连接器耦合到伪电路和在线保持器。