[发明专利]一种去除金属绝缘层金属结构的侧壁聚合物的方法有效
| 申请号： | 200710170620.X | 申请日： | 2007-11-19 |
| 公开（公告）号： | CN101442007A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 王新鹏;沈满华;孙武 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3213 | 分类号： | H01L21/3213 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王 洁 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 去除 金属 绝缘 金属结构 侧壁 聚合物 方法 | ||
1.一种去除金属绝缘层金属结构的侧壁聚合物的方法，其特征在于， 在干法刻蚀生成钽或氮化钽组成的第一金属层后，在干法刻蚀的反应腔体 内，用CF4气体对第一金属层进行表面干法刻蚀处理，所述CF4气体的流速 为80sccm～120sccm，所述表面干法刻蚀处理的时间为15～30秒；所述反 应腔体内的能量为100～250瓦；所述反应腔体内的压力为7～10毫托。
2.如权利要求1所述的去除金属绝缘层金属结构的侧壁聚合物的方法， 其特征在于，所述能量由刻蚀机的RF发生器提供。
3.如权利要求1所述的去除金属绝缘层金属结构的侧壁聚合物的方法， 其特征在于，所述压力由刻蚀机的机械泵及压力控制器调节。
4.如权利要求1或2或3所述的去除金属绝缘层金属结构的侧壁聚合 物的方法，其特征在于，所述聚合物由钽元素和氯元素结合的副产物组成。
5.如权利要求1所述的去除金属绝缘层金属结构的侧壁聚合物的方法， 其特征在于，所述金属绝缘层金属结构包括由钽或氮化钽组成的第一金属 层、绝缘层、第二金属层，所述绝缘层位于第一金属层和第二金属层之间。
6.如权利要求5所述的去除金属绝缘层金属结构的侧壁聚合物的方法， 其特征在于，所述第二金属层由铝或铜组成。
7.如权利要求5所述的去除金属绝缘层金属结构的侧壁聚合物的方法， 其特征在于，所述绝缘层由掺杂二氧化硅组成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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