[发明专利]热解石墨基片上微结构的实现方法

权利要求书

1.一种热解石墨基片上微结构的实现方法，其特征在于：包括以下步骤：

第一步，采用正胶工艺以及SU8负胶和准LIGA技术，采用热解石墨作为基片，在加工前对基片做平整化、清洗、绝缘化以及再清洗准备工作；

第二步，在热解石墨基片一面做光刻用背面对准标记，该面为背面，以后每层结构的光刻均使用双面曝光的光刻机，同时背面对准标记进行对焦，通过多层套刻，实现多层结构或高深宽比结构；

第三步，热解石墨在基片经过准备工作以及背面做好背面对准标记后，在基片另一面为正面，溅射金属薄膜作为种子层，在种子层上甩正胶，光刻、显影后，制作电镀结构层的模具；

第四步，在电镀结构层的模具中的种子层上电镀结构层，经两次甩正胶、光刻、显影和电镀后，去正胶、超声清洗、溅射氧化铝，而后研磨基片并做清洁处理；

第五步，在氧化铝上溅射金属薄膜作种子层，再在种子层上甩SU8负胶，通过光刻、显影和电镀，去SU8负胶，去氧化铝，实现热解石墨上制作高深宽比微结构。

2.根据权利要求1所述的热解石墨基片上微结构的实现方法，其特征是，所述对基片做平整化，是指：采用研磨方法处理其表面并抛光。

3.根据权利要求1所述的热解石墨基片上微结构的实现方法，其特征是，所述对基片做清洗，是指：在做绝缘层之前，先用丙酮、酒精、去离子水对基片进行超声清洗、冲洗并烘干。

4.根据权利要求1所述的热解石墨基片上微结构的实现方法，其特征是，所述对基片做绝缘化，是指：在抛光的基片表面进行绝缘处理，采用的绝缘材料有氧化硅与氮化硅，氧化硅/氮化硅绝缘薄膜置于等离子增强淀积系统中采用等离子增强化学气相淀积的方法制备。

5.根据权利要求1所述的热解石墨基片上微结构的实现方法，其特征是，所述对基片再清洗，是指：做好绝缘层的基片再次用丙酮、酒精、去离子水对基片进行超声清洗、冲洗并烘干，至此完成热解石墨基片的准备工作。