[发明专利]TFT-LCD阵列基板

说明书

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管液晶显示器，尤其是一种薄膜晶体管液晶显示器阵列基板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor Liquid CrystalDisplay，简称TFT-LCD)具有体积小、功耗低、无辐射、制造成本相对较低等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。TFT-LCD阵列基板是TFT-LCD的重要部件之一，其结构如图12所示，主要包括作为衬底的基板，形成在基板上的栅电极41和栅线10，形成在栅电极41和栅线10上并覆盖整个基板的栅绝缘层(未示出)，形成在栅电极上方的半导体层(未示出)、搀杂半导体层(未示出)和由源电极42、漏电极43组成的源漏电极，同时形成与栅线10垂直交叉的数据线20，钝化层(未示出)覆盖整个基板，位于漏电极43的上方开设有钝化层过孔44，像素电极30形成在像素区域，像素电极30通过钝化层过孔44与漏电极43连接。其中与栅线10连接的栅电极41作为有源元器件的开关，与数据线20连接的源电极42和与像素电极30连接的漏电极43之间形成导电沟道，半导体层作为有源层。

从现有技术TFT-LCD阵列基板的结构可以看出，栅线和数据线的交叉处仅由栅绝缘层隔开绝缘，因此在TFT-LCD阵列基板生产中，栅线和数据线的交叉处容易发生各种不良。例如，由于生产中的异物或静电会造成栅线和数据线之间的短路。当发生栅线/数据线短路(DG Short)时，需要先后送到边线修复(Cut Repair)设备和化学气相沉积(CVD)设备进行维修，具体流程是：先通过边线修复设备将发生短路处栅线或数据线的两端切断，再送到化学气相沉积设备对切断的栅线或数据线通过沉积工艺进行连接，不仅工序多，操作复杂，时间长，而且重新连接位置处的像素在后续工序中容易再次出现不良，维修成功率低。另外，栅线和数据线的交叉处也容易发生栅线断路(GateOpen)或数据线断路(Data Open)。当发生栅线断路或数据线断路时，也需要送到化学气相沉积设备通过沉积工艺进行连接，同样存在工序多、时间长、维修成功率低等问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种TFT-LCD阵列基板，以有效解决现有TFT-LCD阵列基板生产中易发生栅线和数据线短路、栅线断路或数据线断路等技术缺陷，并进一步解决现有技术维修工序多、时间长、成功率低等技术缺陷。

为了实现上述目的，本发明提供了一种TFT-LCD阵列基板，包括形成在基板上的栅线、数据线、像素电极和薄膜晶体管，在栅线和数据线交叉处，位于所述数据线两侧的栅线通过与所述数据线形成双点或多点交叉结构的栅连接线连接，和/或位于所述栅线两侧的数据线通过与所述栅线形成双点或多点交叉结构的数据连接线连接。

所述栅连接线可以是至少二个第一栅连接线，所述第一栅连接线与所述栅线材料相同，且与所述栅线位于同一层。

所述栅连接线也可以是至少一个第二栅连接线，所述第二栅连接线与所述像素电极材料相同，且与所述像素电极位于同一层。

所述栅连接线还可以是至少二个第一栅连接线和至少一个第二栅连接线，所述第一栅连接线与所述栅线材料相同，且与所述栅线位于同一层，所述第二栅连接线与所述像素电极材料相同，且与所述像素电极位于同一层。

进一步地，所述第一栅连接线为直线或弧线，每个所述第一栅连接线的宽度为栅线宽度的1/10～1/3，第一栅连接线之间的距离为栅线宽度的1/10～1/3。所述第二栅连接线为直线或弧线，所述第二栅连接线的宽度为栅线宽度的1/4～3/2。

进一步地，所述第二栅连接线可以是通过二个钝化层栅线过孔与位于数据线两侧的栅线连接。

在上述技术方案基础上，所述数据连接线可以是至少二个第一数据连接线，所述第一数据连接线与所述数据线材料相同，且与所述数据线位于同一层。

在上述技术方案基础上，所述数据连接线也可以是至少一个第二数据连接线，所述第二数据连接线与所述像素电极材料相同，且与所述像素电极位于同一层。

在上述技术方案基础上，所述数据连接线还可以是至少二个第一数据连接线和至少一个第二数据连接线，所述第一数据连接线与所述数据线材料相同，且与所述数据线位于同一层，所述第二数据连接线与所述像素电极材料相同，且与所述像素电极位于同一层。

进一步地，所述第一数据连接线为直线或弧线，每个所述第一数据连接线的宽度为数据线宽度的1/10～1/3，第一数据连接线之间的距离为数据线宽度的1/10～1/3。所述第二数据连接线为直线或弧线，所述第二数据连接线的宽度为数据线宽度的1/4～3/2。