[发明专利]CMOS图像传感器的制造方法

权利要求书

1.一种方法，包括以下步骤：

在半导体衬底上形成绝缘夹层；

在该绝缘夹层上依次沉积氮化硅层和氧化物层；

对包括该氮化硅层和该氧化物层的该半导体衬底的整个表面应用烧结工艺；

通过蚀刻除去该氧化物层；以及

在该氮化硅层上依次形成滤色片阵列、平坦化层和微透镜。

2.如权利要求1所述的方法，其中该氧化物层包括未掺杂的硅酸盐玻璃。

3.如权利要求1所述的方法，其中该氧化物层包括掺杂磷的硅酸盐玻璃。

4.如权利要求1所述的方法，其中该氧化物层包括臭氧-四乙氧基硅烷PSG。

5.如权利要求1所述的方法，其中该烧结工艺是以介于400℃与500℃之间的温度进行的。

6.如权利要求5所述的方法，其中该烧结工艺进行10到60分钟。

7.如权利要求1所述的方法，还包括在依次沉积该氮化硅层和氧化物层之后，但在对该半导体衬底的整个表面应用烧结工艺之前进行以下步骤：

在包括该氮化硅层和该氧化物层的该半导体衬底的整个表面上将划线和该划线的外围区域图案化；以及随后

隔离被图案化的区域。

8.如权利要求7所述的方法，其中将划线图案化的步骤是应用光刻工艺来进行的。

9.如权利要求8所述的方法，其中隔离被图案化区域的步骤是应用蚀刻工艺来进行的。

10.如权利要求1所述的方法，其中该氧化物层是应用蚀刻工艺来除去的。

11.一种方法，包括以下步骤：

提供定义有像素区域和晶体管区域的半导体衬底；

在该半导体衬底的整个表面上形成绝缘夹层；

在该绝缘夹层上依次沉积氮化硅层和氧化物层；

消除来自包括该氮化硅层和该氧化物层的该半导体衬底的表面的晶片应力；

降低该氮化硅层的热应力，其中该热应力是由该氧化物层的拉应力、该氮化硅层的压应力和该绝缘夹层的拉应力所导致的；

应用蚀刻工艺除去该氧化物层；以及随后

在该氮化硅层上依次形成滤色片阵列、平坦化层和微透镜。

12.如权利要求11所述的方法，其中该绝缘夹层包括未掺杂的硅酸盐玻璃。

13.如权利要求11所述的方法，其中依次沉积氮化硅层和氧化物层的步骤包括沉积具有与该氧化物层的厚度大致相等的厚度的该绝缘夹层。

14.如权利要求11所述的方法，其中该氧化物层包括未掺杂的硅酸盐玻璃。

15.如权利要求11所述的方法，其中该氧化物层包括掺杂磷的硅酸盐玻璃。

16.如权利要求11所述的方法，其中该氧化物层包括臭氧-四乙氧基硅烷PSG。

17.如权利要求11所述的方法，其中降低热应力包括对包括该氮化硅层和该氧化物层的该半导体衬底的整个表面应用烧结工艺。

18.如权利要求17所述的方法，其中该烧结工艺是以介于400℃与500℃之间的温度进行的。

19.如权利要求18所述的方法，其中该烧结工艺进行10到60分钟。

20.如权利要求11所述的方法，其中该滤色片阵列被设置于光敏单元上。